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SQ4532AEY-T1_GE3 PDF预览

SQ4532AEY-T1_GE3

更新时间： 2024-11-16 20:06:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 279K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8

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SQ4532AEY-T1_GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：10 weeks
风险等级：5.7配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：7.3 A
最大漏源导通电阻：0.031 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：53 pFJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SQ4532AEY-T1_GE3 数据手册

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SQ4532AEY  
Vishay Siliconix  
www.vishay.com  
Automotive N-and P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET  
FEATURES  
• TrenchFET® power MOSFET  
• AEC-Q101 qualified c  
PRODUCT SUMMARY  
N-CHANNEL  
P-CHANNEL  
-30  
VDS (V)  
30  
• 100 % Rg and UIS tested  
R
DS(on) (Ω) at VGS  
DS(on) (Ω) at VGS  
=
=
10 V  
0.031  
0.042  
7.3  
0.070  
• Material categorization:  
for definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
R
4.5 V  
0.190  
ID (A)  
-5.3  
Configuration  
Package  
N- and P-Pair  
SO-8  
SO-8 Dual  
D
1
S
2
D2  
D2  
6
5
D1  
7
D1  
8
G
2
G
1
4
G2  
3
S2  
2
G
1  
S
1
D
2
1
S1  
N-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
Top View  
Marking Code: Q4532A  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
N-CHANNEL  
P-CHANNEL  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
30  
-30  
V
VGS  
20  
T
C = 25 °C  
7.3  
4.2  
4.2  
29  
10  
5
-5.3  
-3  
Continuous Drain Current  
ID  
T
C = 125 °C  
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
Pulsed Drain Current a  
IS  
-3  
A
IDM  
IAS  
EAS  
-21  
-9  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
4
mJ  
W
TC = 25 °C  
3.3  
1.1  
3.3  
1.1  
Maximum Power Dissipation a  
PD  
TC = 125 °C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, Tstg  
-55 to +175  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
RthJA  
N-CHANNEL  
P-CHANNEL  
UNIT  
Junction-to-Ambient  
PCB Mount b  
110  
45  
105  
45  
°C/W  
Junction-to-Foot (Drain)  
RthJF  
Notes  
a. Pulse test; pulse width ≤ 300 μs, duty cycle ≤ 2 %.  
b. When mounted on 1" square PCB (FR4 material).  
c. Parametric verification ongoing.  
S15-1926-Rev. A, 17-Aug-15  
Document Number: 62981  
1
For technical questions, contact: automostechsupport@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...15

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Automotive N-and P-Channel 30 V (D-S) 175 °C
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SQ4840CEY VISHAY

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 		Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFE
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 		Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFE
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 		Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE
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