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SQ1912EH-T1_GE3

更新时间： 2024-11-06 19:15:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 259K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor,

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SQ1912EH-T1_GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：10 weeks
风险等级：5.63配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：0.8 A
最大漏源导通电阻：0.28 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：12 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SQ1912EH-T1_GE3 数据手册

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SQ1912EH  
Vishay Siliconix  
www.vishay.com  
Automotive Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET  
FEATURES  
• TrenchFET® power MOSFET  
SOT-363  
SC-70 Dual (6 leads)  
S2  
4
• AEC-Q101 qualified  
G2  
5
• 100 % Rg tested  
D1  
6
• Material categorization:  
for definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
3
D2  
2
G1  
1
D
D
2
S1  
1
Top View  
Marking Code: 9H  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
G
G
2
1
20  
R
R
R
DS(on) () at VGS = 4.5 V  
DS(on) () at VGS = 2.5 V  
DS(on) () at VGS = 1.8 V  
0.280  
0.360  
0.450  
0.8  
S
S
2
1
ID (A)  
Configuration  
Package  
Dual  
SC-70  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
20  
UNIT  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
VDS  
V
VGS  
8
TC = 25 °C  
0.8  
0.8  
0.8  
3
Continuous drain current a  
ID  
T
C = 125 °C  
Continuous source current (diode conduction) a  
Pulsed drain current b  
IS  
A
IDM  
IAS  
EAS  
Single pulse avalanche current  
Single pulse avalanche energy  
3.8  
7.2  
1.5  
0.5  
L = 0.1 mH  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TC = 125 °C  
Maximum power dissipation b  
PD  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, Tstg  
-55 to +175  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
RthJA  
LIMIT  
220  
UNIT  
Junction-to-ambient  
PCB mount c  
°C/W  
Junction-to-foot (drain)  
RthJF  
100  
Notes  
a. Package limited  
b. Pulse test; pulse width 300 μs, duty cycle 2 %  
c. When mounted on 1" square PCB (FR4 material)  
S17-0425 Rev. B, 27-Mar-17  
Document Number: 67394  
1
For technical questions, contact: automostechsupport@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SQ1922AEEH VISHAY

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 		Automotive Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 °C M
SQ1922EEH VISHAY

获取价格

 		Automotive Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 °C M
SQ200M0022B5F-1019 YAGEO

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 		Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 200V, 20% +Tol, 20% -Tol, 22uF
SQ200M0022D5S-1019 YAGEO

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 		Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 200V, 20% +Tol, 20% -Tol, 22uF
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