5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.62 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 340 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11 A | 最大漏源导通电阻： | 0.44 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 28 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SPW11N60CFD | INFINEON |
类似代替  |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| STD11NM60ND | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 600 V, 0.37 Ω, 10 A, FDmesh™ II Pow |
|
| STB11NM60T4 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 650V TJmax - 0.4OHM - 11A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPP11N60CFD_07 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS™ Power Transistor Feature New revolu |
|
| SPP11N60CFD_09 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS Power Transistor |
|
| SPP11N60CFDHKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SPP11N60S5 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| SPP11N60S5_09 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS™ Power Transistor Feature New revolu |
|
| SPP11N60S5HKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SPP11N60S5XK | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SPP11N65C3 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| SPP11N65C3_07 | INFINEON |
获取价格 |
New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated |
|
| SPP11N65C3_09 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS? Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
