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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.66 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 810 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 80 A | 最大漏极电流 (ID)： | 80 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0048 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STB140NF55T4 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N-CHANNEL 55V - 0.0065 ohm - 80A TO-220/D2PAK STripFET II POWER MOSFET |
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| STB80NF55-08T4 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 55 V, 0.0065 Ω, 80 A, TO-220, D2PAK |
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| STB80NF55-06T4 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 55V - 0.005Ω - 80A - TO-220 /FP - I |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPB80N06S2-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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| SPB80N06S2-08 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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| SPB80N06S2-09 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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| SPB80N06S2-H5 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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| SPB80N06S2L-05 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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| SPB80N06S2L-06 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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| SPB80N06S2L-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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| SPB80N06S2L-09 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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| SPB80N06S2L-11 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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| SPB80N06S2L-H5 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
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