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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SPB80N10LG
SPB80N10LG PDF预览

SPB80N10LG

更新时间： 2024-10-01 13:13:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 110K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

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SPB80N10LG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.81
其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：700 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：80 A最大漏源导通电阻：0.024 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SPB80N10LG 数据手册

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Preliminary data  
SPI80N10L  
SPP80N10L,SPB80N10L  
SIPMOS Power-Transistor  
Feature  
Product Summary  
V
100  
14  
V
m
A
DS  
N-Channel  
R
DS(on)  
Enhancement mode  
Logic Level  
I
80  
D
P-TO262-3-1  
P-TO263-3-2  
P-TO220-3-1  
175°C operating temperature  
Avalanche rated  
dv/dt rated  
Type  
Package  
Ordering Code  
Q67042-S4173  
Q67042-S4171  
Q67042-S4172  
Marking  
80N10L  
80N10L  
80N10L  
SPP80N10L  
SPB80N10L  
SPI80N10L  
P-TO220-3-1  
P-TO263-3-2  
P-TO262-3-1  
Maximum Ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
A
Continuous drain current  
I
D
T =25°C  
80  
58  
C
T =100°C  
C
320  
Pulsed drain current  
I
D puls  
T =25°C  
C
700  
mJ  
Avalanche energy, single pulse  
E
AS  
I =80 A , V =25V, R =25  
D
DD  
GS  
E
25  
6
Avalanche energy, periodic limited by T  
Reverse diode dv/dt  
AR  
jmax  
dv/dt  
kV/µs  
I =80A, V =0V, di/dt=200A/µs  
S
DS  
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
V
±20  
250  
GS  
P
W
tot  
T =25°C  
C
°C  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
T , T  
-55... +175  
55/175/56  
j
stg  
Page 1  
2002-08-14  
12345678

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SPB80N10LG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SPB80N10L INFINEON

完全替代

 SIPMOS Power-Transistor
SPI80N10L INFINEON

完全替代

 SIPMOS Power-Transistor
SPP80N10L INFINEON

完全替代

 SIPMOS Power-Transistor

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SPB80P06P INFINEON

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SPB80P06PG INFINEON

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 		SIPMOSÒ Power-Transistor Features Enhancement
SPB80P06PGATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
SPB-8-2PSW AMPHENOL

获取价格

 		Circular Connector Adapter, 2 Contact(s), Aluminum Alloy, Male-Female
SPB-8-33PS AMPHENOL

获取价格

 		Circular Connector Adapter, 3 Contact(s), Aluminum Alloy, Male-Female
SPB-8-33PSW AMPHENOL

获取价格

 		Circular Connector Adapter, 3 Contact(s), Aluminum Alloy, Male-Female
SPB-8-3PSW AMPHENOL

获取价格

 		Circular Connector Adapter, 3 Contact(s), Aluminum Alloy, Male-Female
SPB-8-3PSX AMPHENOL

获取价格

 		Circular Connector Adapter, 3 Contact(s), Aluminum Alloy, Male-Female
SPB-8-4PSW AMPHENOL

获取价格

 		Circular Connector Adapter, 4 Contact(s), Aluminum Alloy, Male-Female

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