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SPB80N06S2-08

更新时间: 2024-01-07 15:22:33
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页数 文件大小 规格书
8页 422K
描述
OptiMOS Power-Transistor

SPB80N06S2-08 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:D2PAK包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.4Is Samacsys:N
其他特性:AVALANCHE RATED雪崩能效等级(Eas):450 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:55 V最大漏极电流 (Abs) (ID):80 A
最大漏极电流 (ID):80 A最大漏源导通电阻:0.008 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):215 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):320 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SPB80N06S2-08 数据手册

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SPI80N06S2-08  
SPP80N06S2-08,SPB80N06S2-08  
OptiMOS Power-Transistor  
Product Summary  
Feature  
V
55  
8
V
DS  
N-Channel  
R
mΩ  
A
DS(on)  
Enhancement mode  
175°C operating temperature  
Avalanche rated  
I
80  
D
P- TO262 -3-1  
P- TO263 -3-2  
P- TO220 -3-1  
dv/dt rated  
Type  
Package  
Ordering Code  
Marking  
2N0608  
2N0608  
2N0608  
SPP80N06S2-08  
P- TO220 -3-1 Q67060-S4283  
P- TO263 -3-2 Q67060-S4284  
P- TO262 -3-1 Q67060-S7430  
SPB80N06S2-08  
SPI80N06S2-08  
Maximum Ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
1)  
A
Continuous drain current  
I
D
T =25°C  
C
80  
80  
320  
Pulsed drain current  
I
D puls  
T =25°C  
C
450  
mJ  
Avalanche energy, single pulse  
E
AS  
I =80 A , V =25V, R =25Ω  
D
DD  
GS  
2)  
E
21.5  
6
Repetitive avalanche energy, limited by T  
Reverse diode dv/dt  
jmax  
AR  
dv/dt  
kV/µs  
I =80A, V =44V, di/dt=200A/µs, T =175°C  
jmax  
S
DS  
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
V
±20  
215  
GS  
P
W
tot  
T =25°C  
C
°C  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
T , T  
-55... +175  
55/175/56  
j
stg  
Page 1  
2003-05-09  

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