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SPA16N50C3XKSA1

更新时间： 2024-11-22 21:12:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 724K
描述
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220FP, 3 PIN

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SPA16N50C3XKSA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-220AB
包装说明：GREEN, PLASTIC, TO-220FP, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：8.43其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：460 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (ID)：16 A最大漏源导通电阻：0.28 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SPA16N50C3XKSA1 数据手册

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SPP16N50C3  
SPI16N50C3, SPA16N50C3  
Cool MOS™ Power Transistor  
Feature  
• New revolutionary high voltage technology  
V
@ T  
560  
0.28  
16  
V
Ω
A
DS  
jmax  
R
DS(on)  
I
D
• Ultra low gate charge  
PG-TO220FP  
PG-TO262  
PG-TO220  
• Periodic avalanche rated  
• Extreme dv/dt rated  
2
3
• Ultra low effective capacitances  
• Improved transconductance  
2
3
2
1
1
P-TO220-3-31  
P-TO220-3-1  
• PG-TO-220-3-31;-3-111: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute)  
Type  
SPP16N50C3  
Package  
PG-TO220  
Ordering Code  
Q67040-S4583  
Marking  
16N50C3  
SPI16N50C3  
SPA16N50C3  
PG-TO262  
PG-TO220FP  
Q67040-S4582  
16N50C3  
16N50C3  
SP000216351  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
SPP_I  
SPA  
Continuous drain current  
I
A
D
1)  
T
= 25 °C  
16  
10  
16  
C
1)  
T
= 100 °C  
10  
C
Pulsed drain current,  
t
limited by  
T
I
D puls  
48  
48  
A
p
jmax  
Avalanche energy, single pulse  
E
460  
460  
mJ  
AS  
I
=8,  
V
=50V  
D
DD  
2)  
E
Avalanche energy, repetitive  
t
limited by  
T
0.64  
0.64  
AR  
AR  
jmax  
I
=16A,  
V
=50V  
D
DD  
Avalanche current, repetitive  
Gate source voltage  
t
limited by  
T
I
AR  
16  
±20  
30  
16  
±20  
30  
A
V
AR  
jmax  
V
V
P
GS  
GS  
tot  
Gate source voltage AC (f >1Hz)  
Power dissipation, T = 25°C  
160  
34  
W
C
-55...+150  
Operating and storage temperature  
T
dv/dt  
,
T
°C  
V/ns  
j
stg  
6)  
Reverse diode dv/dt  
15  
age 1  
Rev. 3.2  
p
2009-12-22  
1234567...14

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SPA16N50C3XKSA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FCPF260N60E FAIRCHILD

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 		Length (mm): 2.00 | Width (mm): 1.60 | Height (mm): 1.10 | SPQ (reel) : 2000 Magnetic epox
SPA201610FA1R5M SUPERWORLD

获取价格

 		Length (mm): 2.00 | Width (mm): 1.60 | Height (mm): 1.10 | SPQ (reel) : 2000 Magnetic epox
SPA201610FA2R2M SUPERWORLD

获取价格

 		Length (mm): 2.00 | Width (mm): 1.60 | Height (mm): 1.10 | SPQ (reel) : 2000 Magnetic epox
SPA201610FA4R7M SUPERWORLD

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 		Length (mm): 2.00 | Width (mm): 1.60 | Height (mm): 1.10 | SPQ (reel) : 2000 Magnetic epox

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