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SP001132550

更新时间： 2024-11-07 21:12:03

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英飞凌 - INFINEON		/
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11页	1443K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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SP001132550 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
Base Number Matches：	1

SP001132550 数据手册

BSZ097N10NS5

MOSFET

OptiMOS^TM5ꢀPower-Transistor,ꢀ100ꢀV

TSDSON-8ꢀFL

(enlarged source interconnection)

Features

•ꢀIdealꢀforꢀhighꢀfrequencyꢀswitching

•ꢀOptimizedꢀtechnologyꢀforꢀDC/DCꢀconverters

•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀR_DS(on)ꢀproductꢀ(FOM)

•ꢀN-channel,ꢀLogicꢀlevel

•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested

•ꢀPb-freeꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC¹⁾ꢀꢀforꢀtargetꢀapplications

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

S 1

S 2

S 3

G 4

8 D

7 D

Parameter

Value

100

9.7

Unit

V_DS

6 D

5 D

R_DS(on),max

I_D

mΩ

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

PG-TSDSON-8 FL

Marking

RelatedꢀLinks

BSZ097N10NS5

097N10N

¹⁾J-STD20 and JESD22

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.3,ꢀꢀ2017-01-26

12 3 4 5 6 7...11

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