Datasheet > SN74HCT126DR

SN74HCT126DR

更新时间： 2024-11-20 21:02:15

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		栅驱动光电二极管逻辑集成电路
页数	文件大小	规格书
5页	90K
描述
Quadruple Bus Buffer Gates With 3-State Outputs 14-SOIC -40 to 85

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SN74HCT126DR 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP, SOP14,.25	针数：	14
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.76
控制类型：	ENABLE HIGH	系列：	HCT
JESD-30 代码：	R-PDSO-G14	长度：	8.65 mm
逻辑集成电路类型：	BUS DRIVER	位数：	1
功能数量：	4	端口数量：	2
端子数量：	14	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	输出特性：	3-STATE
输出极性：	TRUE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP14,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
包装方法：	TAPE AND REEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	传播延迟（tpd）：	46 ns
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.75 mm
子类别：	Bus Driver/Transceivers	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	3.9 mm
Base Number Matches：	1

SN74HCT126DR 数据手册

SN54HCT126, SN74HCT126

QUADRUPLE BUS BUFFER GATES

WITH 3-STATE OUTPUTS

SCLS070A – NOVEMBER 1988 – REVISED NOVEMBER 1990

SN54HCT126 . . . J PACKAGE

SN74HCT126 . . . D OR N PACKAGE

(TOP VIEW)

High-Current 3-State Outputs Drive Bus

Lines or Buffer Memory Address Registers

Inputs Are TTL-Voltage Compatible

Package Options Include Plastic

Small-Outline (D) Packages, Ceramic Chip

Carriers (FK), and Standard Plastic (N) and

Ceramic (J) 300-mil DIPs

1OE

4OE

2OE

10 3OE

description

GND

These bus buffers feature independent line

drivers with 3-state outputs. Each output is

disabled when the associated OE is low.

SN54HCT126 . . . FK PACKAGE

(TOP VIEW)

The SN54HCT126 is characterized for operation

over the full military temperature range of –55°C

to 125°C. The SN74HCT126 is characterized for

operation from –40°C to 85°C.

20 19

FUNCTION TABLE

2OE

INPUTS

OUTPUT

15 NC

9 10 11 12 13

3OE

H = high level, L = low level,

X = irrelevant

NC – No internal connection

†

logic symbol

logic diagram, each buffer (positive logic)

1OE

2OE

3OE

4OE

†

This symbol is in accordance with ANSI/IEEE Std 91-1984 and

IEC Publication 617-12.

Pin numbers shown are for the D, J, and N packages.

UNLESS OTHERWISE NOTED this document contains PRODUCTION

DATA information current as of publication date. Products conform to

specifications per the terms of Texas Instruments standard warranty.

Production processing does not necessarily include testing of all

parameters.

POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与SN74HCT126DR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SN74HCT126N	TI	获取价格	Quadruple Bus Buffer Gates With 3-State Outputs 14-PDIP -40 to 85
SN74HCT137DW-00	TI	获取价格	HCT SERIES, OTHER DECODER/DRIVER, INVERTED OUTPUT, PDSO16
SN74HCT137DW3	TI	获取价格	IC,DECODER/DEMUX,3-TO-8-LINE,HCT-CMOS,SOP,16PIN,PLASTIC
SN74HCT138	TI	获取价格	3-LINE TO 8-LINE DECODERS/DEMULTIPLEXERS
SN74HCT138D	TI	获取价格	3-LINE TO 8-LINE DECODERS/DEMULTIPLEXERS
SN74HCT138D-00	TI	获取价格	HCT SERIES, OTHER DECODER/DRIVER, INVERTED OUTPUT, PDSO16
SN74HCT138DE4	TI	获取价格	3-LINE TO 8-LINE DECODERS DEMULTIPLEXERS
SN74HCT138DG4	TI	获取价格	3-LINE TO 8-LINE DECODERS DEMULTIPLEXERS
SN74HCT138DR	TI	获取价格	3-LINE TO 8-LINE DECODERS/DEMULTIPLEXERS
SN74HCT138DR-00	TI	获取价格	HCT SERIES, OTHER DECODER/DRIVER, INVERTED OUTPUT, PDSO16

与SN74HCT126DR相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

24
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

16
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

48
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SN74HCT126DR

SN74HCT126DR 技术参数

SN74HCT126DR 数据手册

与SN74HCT126DR相关器件

与SN74HCT126DR相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SN74HCT126DR

SN74HCT126DR 技术参数

SN74HCT126DR 数据手册

与SN74HCT126DR相关器件

与SN74HCT126DR相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？