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Datasheet > 逻辑 > 复用器/解复用器> SN74CBTLV3251DR
SN74CBTLV3251DR PDF预览

SN74CBTLV3251DR

更新时间： 2024-11-29 22:37:07
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 解复用器逻辑集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 378K
描述
LOW-VOLTAGE 1-OF-8 FET MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER

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SN74CBTLV3251DR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP16,.25针数：16
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.17系列：CBTLV/3B
JESD-30 代码：R-PDSO-G16JESD-609代码：e4
长度：9.9 mm逻辑集成电路类型：MULTIPLEXER AND DEMUX/DECODER
湿度敏感等级：1功能数量：1
输入次数：1输出次数：8
端子数量：16最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C输出特性：3-STATE
输出极性：TRUE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP16,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
包装方法：TR峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：2.5/3.3 V最大电源电流（ICC）：0.01 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup：0.15 ns传播延迟（tpd）：0.25 ns
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
子类别：Multiplexer/Demultiplexer最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：3.91 mmBase Number Matches：1

SN74CBTLV3251DR 数据手册

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SCDS054I − MARCH 1998 − REVISED OCTOBER 2003  
D
D
D
5-Ω Switch Connection Between Two Ports  
Rail-to-Rail Switching on Data I/O Ports  
D
Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per  
JESD 78, Class II  
I
Supports Partial-Power-Down Mode  
off  
Operation  
D, DBQ, DGV, OR PW PACKAGE  
(TOP VIEW)  
RGY PACKAGE  
(TOP VIEW)  
V
B4  
B3  
B2  
B1  
A
NC  
OE  
GND  
1
2
3
4
5
6
7
8
16  
CC  
15 B5  
14 B6  
13 B7  
12 B8  
1
16  
B3  
B2  
B1  
A
NC  
OE  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
2
3
4
5
6
7
B5  
B6  
B7  
B8  
S0  
S1  
11  
10  
9
S0  
S1  
S2  
8
9
NC − No internal connection  
NC − No internal connection  
description/ordering information  
The SN74CBTLV3251 device is a 1-of-8 high-speed FET multiplexer/demultiplexer. The low on-state resistance  
of the switch allows connections to be made with minimal propagation delay.  
The select inputs (S0, S1, S2) control the data flow. The FET multiplexers/demultiplexers are disabled when  
the output-enable (OE) input is high.  
This device is fully specified for partial-power-down applications using I . The I feature ensures that  
off  
off  
damaging current will not backflow through the device when it is powered down. The device has isolation during  
power off.  
To ensure the high-impedance state during power up or power down, OE should be tied to V  
resistor; the minimum value of the resistor is determined by the current-sinking capability of the driver.  
through a pullup  
CC  
ORDERING INFORMATION  
ORDERABLE  
PART NUMBER  
TOP-SIDE  
MARKING  
†
PACKAGE  
T
A
QFN − RGY  
SOIC − D  
Tape and reel  
SN74CBTLV3251RGYR  
SN74CBTLV3251D  
CL251  
Tube  
CBTLV3251  
Tape and reel  
SN74CBTLV3251DR  
SN74CBTLV3251DBQR  
SN74CBTLV3251PWR  
SN74CBTLV3251DGVR  
−40°C to 85°C  
SSOP (QSOP) − DBQ Tape and reel  
CL251  
CL251  
CL251  
TSSOP − PW  
TVSOP − DGV  
Tape and reel  
Tape and reel  
†
Package drawings, standard packing quantities, thermal data, symbolization, and PCB design guidelines  
are available at www.ti.com/sc/package.  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
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Copyright 2003, Texas Instruments Incorporated  
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1
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
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SN74CBTLV3251DR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SN74CBTLV3251PWR TI

完全替代

 LOW-VOLTAGE 1-OF-8 FET MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER
SN74CBTLV3251DBQR TI

完全替代

 LOW-VOLTAGE 1-OF-8 FET MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER
SN74CBTLV3251D TI

完全替代

 LOW-VOLTAGE 1-OF-8 FET MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SN74CBTLV3251DRE4 TI

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 		LOW-VOLTAGE 1-OF-8 FET MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER
SN74CBTLV3251DRG4 TI

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 		LOW-VOLTAGE 1-OF-8 FET MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER
SN74CBTLV3251DW TI

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 		暂无描述
SN74CBTLV3251DWR TI

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 		CBTLV/3B SERIES, 1 LINE TO 8 LINE MULTIPLEXER AND DEMUX/DECODER, TRUE OUTPUT, PDSO16, PLAS
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 		FET Multiplexer/Demultiplexer

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