是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | MSOP |
包装说明: | TSSOP, | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 5.36 | 系列: | 65EP |
输入调节: | DIFFERENTIAL | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 3 mm |
负载电容(CL): | 20 pF | 逻辑集成电路类型: | LOW SKEW CLOCK DRIVER |
最大I(ol): | 0.024 A | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 反相输出次数: | |
端子数量: | 8 | 实输出次数: | 1 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSSOP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
包装方法: | TR | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
Prop。Delay @ Nom-Sup: | 1.9 ns | 传播延迟(tpd): | 1.9 ns |
认证状态: | Not Qualified | Same Edge Skew-Max(tskwd): | 0.25 ns |
座面最大高度: | 1.07 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | ECL |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 3 mm | 最小 fmax: | 300 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SN65EPT21DGK | TI |
完全替代 |
3.3-V Differential PECL/LVDS to TTL Translator |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SN65EPT21DR | TI |
获取价格 |
3.3-V Differential PECL/LVDS to TTL Translator | |
SN65EPT22 | TI |
获取价格 |
3.3 V Dual LVTTL/LVCMOS to Differential LVPECL Buffer | |
SN65EPT22_10 | TI |
获取价格 |
3.3 V Dual LVTTL/LVCMOS to Differential LVPECL Buffer | |
SN65EPT22D | TI |
获取价格 |
3.3 V Dual LVTTL/LVCMOS to Differential LVPECL Buffer | |
SN65EPT22DGK | TI |
获取价格 |
3.3 V Dual LVTTL/LVCMOS to Differential LVPECL Buffer | |
SN65EPT22DGKR | TI |
获取价格 |
3.3 V Dual LVTTL/LVCMOS to Differential LVPECL Buffer | |
SN65EPT22DR | TI |
获取价格 |
3.3 V Dual LVTTL/LVCMOS to Differential LVPECL Buffer | |
SN65EPT23 | TI |
获取价格 |
3.3V ECL Differential LVPECL/LVDS to LVTTL/LVCMOS Translator | |
SN65EPT23_10 | TI |
获取价格 |
3.3V ECL Differential LVPECL/LVDS to LVTTL/LVCMOS Translator | |
SN65EPT23D | TI |
获取价格 |
3.3V ECL Differential LVPECL/LVDS to LVTTL/LVCMOS Translator |