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SMS12.TE

更新时间: 2024-09-17 18:46:31
品牌 Logo 应用领域
商升特 - SEMTECH 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 183K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 350W, 12V V(RWM), Unidirectional, 4 Element, Silicon, PLASTIC PACKAGE-6

SMS12.TE 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G6
针数:6Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.29最小击穿电压:13.3 V
最大钳位电压:23 V配置:COMMON ANODE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G6最大非重复峰值反向功率耗散:350 W
元件数量:4端子数量:6
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性:UNIDIRECTIONAL
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:12 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

SMS12.TE 数据手册

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