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SMP600G-FM

更新时间： 2024-11-29 09:18:43

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P.I.N. PHOTODIODE

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SMP600G-FM 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	HERMETIC, METAL CAN, TO-39, 3 PIN
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.40.60.50
风险等级：	5.25	其他特性：	LOW NOISE
配置：	SINGLE	最大暗电源：	6 nA
红外线范围：	YES	功能数量：	1
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：	-40 °C
光电设备类型：	PIN PHOTODIODE	最小反向击穿电压：	60 V
形状：	ROUND	尺寸：	5.9 mm

SMP600G-FM 数据手册

SMP600G-FM

MECHANICALDATA

P.I.N. PHOTODIODE

Dimensions in mm.

FEATURES

• HIGH SENSITIVITY

• VISIBLE AND UV BLIND

Ø 9

Ø 8

± 0

• PHOTODIODE ISOLATED FROM PACKAGE

• EXCELLENT LINEARITY

W NDOW

5.9 ± 0.1

• LOW NOISE

• WIDE SPECTRAL RESPONSE

• RG850 INTEGRAL OPTICAL FILTER

• TO39 HERMETIC METAL CANPACKAGE

• EMI SCREENING MESH AVAILABLE

SENS

SURFAC

I I

T VE

Ø 0.45

DESCRIPTION

The SMP600G-FM is a Silicon P.I.N. photodiode

incorporated in a hermetic metal can package. The

electrical terminations are via two leads of diameter 0.018"

on a pitch centre diameter of 0.2". The can structure

incorporates an optical filter that only transmits infra-red

light. The photodiode is electrically isolated from the

package, which has a separate earth lead.

The larger photodiode active area provides greater

sensitivity than the SMP550 range of devices, with a slight

reduction in speed. Inherent in the device geometry is a

reduction in the receiving angle. The photodiode structure

has been optimised for high sensitivity, light measurement

applications. The metal can, isolated photodiode and

optional screening mesh ensure a rugged device with a

high degree of immunity to conducted and radiated

electrical interference.

TO-39 Package

Pin 1 – Anode

Pin 2 – Cathode

Pin 3 – Case

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

Operating temperature range

= 25°C unless otherwise stated)

-40°C to +70°C

-45°C to +80°C

0.35% per °C

case

Storage temperature range

Temperature coefficient of responsively

Temperature coefficient of dark current

Reverse breakdown voltage

x2 per 8°C rise

60V

Prelim. 1/98

Semelab plc. Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.

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与SMP600G-FM相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMP600G-FN	SEME-LAB	获取价格	P.I.N. PHOTODIODE
SMP60N03-10L	TEMIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SMP60N03-10L	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SMP60N05	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SMP60N06	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SMP60N06-14	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SMP60N06-18	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SMP60N06-18	TEMIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SMP60N06A	VISHAY	获取价格	Transistor
SMP640	SECOS	获取价格	6 A Surface Mount Schottky Elektronische Bauelemente Barrier Rectifiers

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