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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 60 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SMP60N06-14 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SMP60N06-18 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SMP60N06-18 | TEMIC |
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Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SMP60N06A | VISHAY |
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Transistor |
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| SMP640 | SECOS |
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6 A Surface Mount Schottky Elektronische Bauelemente Barrier Rectifiers |
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| SMP640UKC | SAMSUNG |
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SAMSUNG Mini Printer SMP640UKC |
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| SMP6451 | INTERFET |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236 |
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| SMP6452 | INTERFET |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236 |
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| SMP6453 | INTERFET |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236 |
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| SMP6454 | INTERFET |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236 |
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