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SMP25N06

更新时间: 2024-01-29 21:05:16
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威世 - VISHAY 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 155K
描述
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

SMP25N06 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.83配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (ID):25 A
最大漏源导通电阻:0.06 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:70 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

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