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SMP2P20

更新时间: 2024-02-26 14:47:54
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 110K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1.75A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

SMP2P20 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.82外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (ID):1.75 A最大漏源导通电阻:3 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:P-CHANNEL
功耗环境最大值:20 W最大脉冲漏极电流 (IDM):7 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):100 ns最大开启时间(吨):40 ns
Base Number Matches:1

SMP2P20 数据手册

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