是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DO-214AB |
包装说明: | R-PDSO-C2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.2 |
Is Samacsys: | N | 最大击穿电压: | 71.2 V |
最小击穿电压: | 64.4 V | 击穿电压标称值: | 67.8 V |
最大钳位电压: | 93.6 V | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-214AB | JESD-30 代码: | R-PDSO-C2 |
JESD-609代码: | e0 | 湿度敏感等级: | 1 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 3000 W | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | BIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 1.61 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 58 V | 子类别: | Transient Suppressors |
表面贴装: | YES | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | J BEND |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SMLJ58CAE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 58V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 | |
SMLJ58CAE3/TR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 58V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 | |
SMLJ58CAE3TR | MICROSEMI |
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3000W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, PLASTIC PACKAGE-2 | |
SMLJ58CA-H | BOURNS |
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暂无描述 | |
SMLJ58CAHE3-TP | MCC |
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Trans Voltage Suppressor Diode, | |
SMLJ58CA-Q | BOURNS |
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Trans Voltage Suppressor Diode, | |
SMLJ58CA-QH | BOURNS |
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暂无描述 | |
SMLJ58CA-TP | MCC |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 58V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 | |
SMLJ58CATR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 58V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 | |
SMLJ58CTR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 58V V(RWM), Bidirectional, |