5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | DO-214AB | 包装说明： | R-PDSO-C2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.23 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW INDUCTANCE, UL RECOGNIZED | 最大击穿电压： | 7.37 V |
| 最小击穿电压： | 6.67 V | 击穿电压标称值： | 7.02 V |
| 最大钳位电压： | 10.3 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-214AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 3000 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性： | BIDIRECTIONAL | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 6 V | 子类别： | Transient Suppressors |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | C BEND |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SMLJ6.0CAE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 |
|
| SMLJ6.0CAQ | MCC |
获取价格 |
Tape :3K/Reel, 48K/Ctn; |
|
| SMLJ6.0CATR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 |
|
| SMLJ6.0CATRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 6V V(RWM), Bidirectional, |
|
| SMLJ6.0CE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 |
|
| SMLJ6.0E3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
|
| SMLJ6.5 | MCC |
获取价格 |
Transient Voltage Suppressor 5.0 to 170 Volts 3000 Watt |
|
| SMLJ6.5A | BOURNS |
获取价格 |
SMLJ Transient Voltage Suppressor Diode Series |
|
| SMLJ6.5A | MCC |
获取价格 |
Transient Voltage Suppressor 5.0 to 170 Volts 3000 Watt |
|
| SMLJ6.5AE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
3000W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, PLASTIC PACKAGE-2 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
