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SMLJ6.5CAE3

更新时间: 2024-11-23 20:00:23
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 482K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 6.5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

SMLJ6.5CAE3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-J2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.7
最大击穿电压:7.98 V最小击穿电压:7.22 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码:DO-214AB
JESD-30 代码:R-PDSO-J2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值反向功率耗散:3000 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:1.61 W
最大重复峰值反向电压:6.5 V表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:MATTE TIN
端子形式:J BEND端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

SMLJ6.5CAE3 数据手册

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