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SML75HB06

更新时间： 2024-01-20 03:31:14

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SEME-LAB		半导体
页数	文件大小	规格书
7页	191K
描述
HIGH PERFORMANCE POWER SEMICONDUCTORS

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SML75HB06 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-MUFM-X7
针数：	7	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	其他特性：	HIGH REALIBILITY
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	100 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-MUFM-X7	元件数量：	2
端子数量：	7	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	205 ns
标称接通时间 (ton)：	1090 ns

SML75HB06 数据手册

SML75HB06

Attributes:

-aerospace build standard

-high reliability

-lightweight

-metal matrix base plate

-AlN isolation

Maximum rated values/

Electrical Properties

Collector-emitter Voltage

600

Vces

DC Collector Current

Tc=75C

Tc=25C

I_c, nom

100

Repetitive peak Collector Cur-

rent

tp=1msec,Tc=75C

I_crm

150

260

Total PowerDissipation

Tc=25C

P_tot

Gate-emitter peak voltage

V_ges

I_f

+/-20

DC Forward Diode

Current

Repetitive Peak

Forward Current

tp=1msec

I_frm

150

I²t value per diode

Vr=0V, tp=10msec,

Tvj=125C

I²

500

A²sec

Isolation test voltage

RMS, 50Hz, t=1min

V_isol

2500

Collector-emitter saturation

voltage

Ic=75A,Vge=15V, Tc=25C

Ic=75A,Vge=15V,Tc=125C

V_ce(sat)

1.95 2.45

2.2

Gate Threshold voltage

Input capacitance

Vce=Vge, Tvj=25C

Vge_(th)4.5 5.5

6.5

f=1MHz,Tvj=25C,Vce=25V,

Vge=0V

C_ies

C_res

I_ces

3.2

Reverse transfer Capacitance f=1MHz,Tvj=25C,Vce=25V,

Vge=0V

0.3

µA

Collector emitter cut off

current

Vce=600V,Vge=0V,Tvj=25C

Vce=600V,Vge=0V,Tvj=125C

500

400

Gate emitter cut off current

Vce=0V,Vge=20V,Tvj=25C

I_ges

12 3 4 5 6 7

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