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SML80B16 PDF预览

SML80B16

更新时间： 2024-01-08 15:10:12
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SEME-LAB 高压高电压电源
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2页 25K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

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SML80B16 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Not Recommended包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.32
雪崩能效等级（Eas）：1300 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：800 V最大漏极电流 (ID)：16 A
最大漏源导通电阻：0.56 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：64 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

SML80B16 数据手册

 浏览型号SML80B16的Datasheet PDF文件第2页 
SML80B12  
TO–247AD Package Outline.  
Dimensions in mm (inches)  
N–CHANNEL  
ENHANCEMENT MODE  
HIGH VOLTAGE  
4.69 (0.185)  
5.31 (0.209)  
1.49 (0.059)  
2.49 (0.098)  
15.49 (0.610)  
16.26 (0.640)  
POWER MOSFETS  
3.55 (0.140)  
3.81 (0.150)  
1
2
3
VDSS  
800V  
12A  
1.65 (0.065)  
2.13 (0.084)  
0.40 (0.016)  
0.79 (0.031)  
ID(cont)  
2.87 (0.113)  
3.12 (0.123)  
1.01 (0.040)  
1.40 (0.055)  
RDS(on) 0.750  
2.21 (0.087)  
2.59 (0.102)  
5.25 (0.215)  
BSC  
• Faster Switching  
• Lower Leakage  
• 100% Avalanche Tested  
• Popular TO–247 Package  
Pin 1 – Gate  
Pin 2 – Drain  
Pin 3 – Source  
D
StarMOS is a new generation of high voltage  
N–Channel enhancement mode power MOSFETs.  
This new technology minimises the JFET effect,  
increases packing density and reduces the  
G
on-resistance. StarMOS also achieves faster  
switching speeds through optimised gate layout.  
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
Drain – Source Voltage  
800  
12  
V
A
A
V
DSS  
Continuous Drain Current  
I
I
D
1
Pulsed Drain Current  
48  
DM  
Gate – Source Voltage  
±30  
V
V
GS  
V
Gate – Source Voltage Transient  
±40  
GSM  
Total Power Dissipation @ T  
Derate Linearly  
= 25°C  
260  
W
case  
P
D
2.08  
–55 to 150  
300  
W/°C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Lead Temperature : 0.063” from Case for 10 Sec.  
T , T  
J
STG  
°C  
A
T
L
1
Avalanche Current (Repetitive and Non-Repetitive)  
12  
I
AR  
1
Repetitive Avalanche Energy  
30  
E
E
AR  
AS  
mJ  
2
Single Pulse Avalanche Energy  
960  
1) Repetitive Rating: Pulse Width limited by maximum junction temperature.  
2) Starting T = 25°C, L = 13.33mH, R = 25 , Peak I = 12A  
J
G
L
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
6/99  
12

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