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SML80S13

更新时间： 2024-01-31 15:28:20

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SEME-LAB		高压高电压电源
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2页	24K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

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SML80S13 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.63	雪崩能效等级（Eas）：	1210 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (ID)：	13 A
最大漏源导通电阻：	0.65 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	52 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SML80S13 数据手册

SML80S13

D³PAK Package Outline.

Dimensions in mm (inches)

N–CHANNEL

4.98 (0.196)

5.08 (0.200)

ENHANCEMENT MODE

HIGH VOLTAGE

13.41 (0.528)

13.51 (0.532)

15.95 (0.628)

16.05 (0.632)

1.47 (0.058)

1.57 (0.062)

1.04 (0.041)

1.15 (0.045)

11.51 (0.453)

11.61 (0.457)

POWER MOSFETS

13.79 (0.543)

13.99 (0.551)

0.46 (0.018)

0.56 (0.022)

3 plcs.

1.27 (0.050)

1.40 (0.055)

V_DSS

800V

13A

1.22 (0.048)

1.32 (0.052)

3.81 (0.150)

4.06 (0.160)

2.67 (0.105)

2.84 (0.112)

1.98 (0.078)

2.08 (0.082)

I_D(cont)

5.45 (0.215) BSC

2 plcs.

R_DS(on)0.650

• Faster Switching

• Lower Leakage

Pin 1 – Gate

Pin 2 – Drain

Pin 3 – Source

• 100% Avalanche Tested

Heatsink is Drain.

• Surface Mount D³PAK Package

StarMOS is a new generation of high voltage

N–Channel enhancement mode power MOSFETs.

This new technology minimises the JFET effect,

increases packing density and reduces the

on-resistance. StarMOS also achieves faster

switching speeds through optimised gate layout.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

Drain – Source Voltage

800

DSS

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

Gate – Source Voltage

±30

Gate – Source Voltage Transient

±40

GSM

Total Power Dissipation @ T

Derate Linearly

= 25°C

280

case

2.24

–55 to 150

300

W/°C

Operating and Storage Junction Temperature Range

Lead Temperature : 0.063” from Case for 10 Sec.

T , T

STG

°C

Avalanche Current (Repetitive and Non-Repetitive)

Repetitive Avalanche Energy

Single Pulse Avalanche Energy

1210

1) Repetitive Rating: Pulse Width limited by maximum junction temperature.

2) Starting T = 25°C, L = 14.32mH, R = 25 , Peak I = 13A

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

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