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SMJ44C251-10JDM

更新时间： 2024-11-25 15:51:51

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
40页	1472K
描述
IC 256K X 4 VIDEO DRAM, 100 ns, CDIP28, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28, Dynamic RAM

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SMJ44C251-10JDM 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP28,.4	针数：	28
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.27
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	100 ns
其他特性：	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-CDIP-T28
长度：	35.925 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	VIDEO DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	28	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	256KX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.4	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	512	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：	4.445 mm	最大待机电流：	0.015 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMJ44C251-12HJM	TI	获取价格	256KX4 VIDEO DRAM, 120ns, CDSO28, CERAMIC, SOJ-28
SMJ44C251-12JDM	TI	获取价格	256KX4 VIDEO DRAM, 120ns, CDIP28, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28
SMJ44C251-15HJM	TI	获取价格	256KX4 VIDEO DRAM, 150ns, CDSO28, 1.27 MM PITCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, J LEADED, SOP-2
SMJ44C251-15JDM	TI	获取价格	256KX4 VIDEO DRAM, 150ns, CDIP28, 0.400 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-2
SMJ44C251B	AUSTIN	获取价格	256K X 4 VRAM 256K x 4 DRAM with 512K x 4 SAM
SMJ44C251B	TI	获取价格	262144 BY 4-BIT MULTIPORT VIDEO RAM
SMJ44C251B10HJM	AUSTIN	获取价格	256K X 4 VRAM 256K x 4 DRAM with 512K x 4 SAM
SMJ44C251B10HJM	MICROSS	获取价格	Video DRAM, 256KX4, 100ns, CMOS, CDSO28, CERAMIC, LCC-28
SMJ44C251B-10HJM	AUSTIN	获取价格	256K X 4 VRAM 256K x 4 DRAM with 512K x 4 SAM
SMJ44C251B-10HJM883C	MICROSS	获取价格	Video DRAM, 256KX4, 100ns, CMOS, CDSO28, CERAMIC, LCC-28