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SMJ4416-20FGE

更新时间: 2024-02-22 01:25:48
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其他 - ETC 内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
17页 468K
描述
x4 Page Mode DRAM

SMJ4416-20FGE 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP18,.3
针数:18Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.73访问模式:PAGE
最长访问时间:200 ns其他特性:RAS ONLY REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-CDIP-T18
长度:22.606 mm内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:PAGE MODE DRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:18字数:16384 words
字数代码:16000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:100 °C最低工作温度:-55 °C
组织:16KX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP18,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:256筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度:5.08 mm子类别:DRAMs
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:NMOS温度等级:OTHER
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

SMJ4416-20FGE 数据手册

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