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SMJ4416-12JDS

更新时间： 2024-09-22 20:34:23

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	416K
描述
16KX4 PAGE MODE DRAM, 120ns, CDIP18, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-18

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SMJ4416-12JDS 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP18,.3
针数：	18	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
访问模式：	PAGE	最长访问时间：	120 ns
其他特性：	RAS ONLY REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CDIP-T18	长度：	22.606 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	PAGE MODE DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	18
字数：	16384 words	字数代码：	16000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	100 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	16KX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP18,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	256
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	5.08 mm
子类别：	DRAMs	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	NMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...17

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMJ4416-15FGE	ETC	获取价格	x4 Page Mode DRAM
SMJ4416-15FGS	ETC	获取价格	x4 Page Mode DRAM
SMJ4416-15JDE	ETC	获取价格	x4 Page Mode DRAM
SMJ4416-15JDL	TI	获取价格	16KX4 PAGE MODE DRAM, 150ns, CDIP18, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-18
SMJ4416-15JDS	TI	获取价格	16KX4 PAGE MODE DRAM, 150ns, CDIP18, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-18
SMJ4416-20FGE	ETC	获取价格	x4 Page Mode DRAM
SMJ4416-20FGS	ETC	获取价格	x4 Page Mode DRAM
SMJ4416-20JDE	ETC	获取价格	x4 Page Mode DRAM
SMJ4416-20JDL	TI	获取价格	16KX4 PAGE MODE DRAM, 200ns, CDIP18, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-18
SMJ4416-20JDS	TI	获取价格	16KX4 PAGE MODE DRAM, 200ns, CDIP18, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-18