SMF5.0 ... SMF220CA
SMF5.0 ... SMF220CA
PPPM = 200 W
PM(AV) = 1 W
Tjmax = 150°C
VWM = 5.0 ... 220 V
VBR = 6.8 ... 260 V
SMD Transient Voltage Suppressor Diodes
SMD Spannungs-Begrenzer-Dioden
Version 2019-10-21
Typical Applications
Over-voltage protection
ESD protection
Typische Anwendungen
Schutz gegen Überspannung
ESD-Schutz
SOD-123FL
(~ SMF)
Free-wheeling diodes
Freilauf-Dioden
Commercial grade
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1)
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
0.6±0.25
2.8±0.2
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1)
Features
Besonderheiten
Uni- und Bidirektionale Versionen
200 W Impuls-Verlustleistung
(10/1000 µs Strom-Impuls)
Sehr schnelle Ansprechzeit
Uni- and Bidirectional versions
Peak pulse power of 200 W
(10/1000 µs waveform)
Very fast response time
Low profile package
3.7±0.2
Flache Bauform
Type
Code
R
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Konform zu RoHS, REACH,
Pb
V
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
Dimensions - Maße [mm]
Taped and reeled
3000 / 7“
Gegurtet auf Rolle
Gewicht ca.
Type Code = VWM. Cathode mark
only at unidirectional types
Weight approx.
0.02 g
UL 94V-0
260°C/10s
MSL = 1
Case material
Gehäusematerial
Type Code = VWM. Kathoden-
Markierung nur bei unidirektionalen
Typen
Solder & assembly conditions
Löt- und Einbaubedingungen
For bidirectional types (suffix “CA”), electrical characteristics apply in both directions.
Für bidirektionale Dioden (mit Suffix “CA”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
Peak pulse power dissipation
Impuls-Verlustleistung
10/1000 µs pulse
8/20 µs pulse
200 W 3)
PPPM
1000 W 3)
Steady state power dissipation
Verlustleistung im Dauerbetrieb
TA = 50°C
TA = 25°C
0.5 W 4)
1.0 W 5)
PM(AV)
ESD immunity (air discharge) – ESD-Festigkeit (Luftentladung)
ESD immunity (contact discharge) – ESD-Festigkeit (Kontaktentladung)
IEC 61000-4-2
60 Hz (8.3 ms)
VPP
± 30 kV 6)
20 A 7)
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
IFSM
Characteristics
Kennwerte
< 3.5 V 5)
IF = 20 A
Max. instantaneous forward voltage – Augenblickswert der Durchlass-Spannung
VF
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
Typ. thermal resistance junction to ambient
Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung
180 K/W 4)
125 K/W 5)
RthA
1
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)
2
3
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)
4
5
6
7
Mounted on P. C. board with 5x5 mm2 copper pads – Montage auf Leiterplatte mit 5x5 mm2 Lötpad je Anschluss
Mounted on P. C. board with 50x50 mm2 copper pads – Montage auf Leiterplatte mit 50x50 mm2 Lötpad je Anschluss
Defined for -Q/-AQ parts only – Nur definiert für -Q/-AQ Bauteile
Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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