SMF5.0 ... SMF220CA
SMF5.0 ... SMF220CA
PPPM = 200 W
PM(AV) = 0.5 W
Tjmax = 150°C
VWM = 5.0 ... 220 V
VBR = 6.8 ... 260 V
SMD Transient Voltage Suppressor Diodes
SMD Spannungs-Begrenzer-Dioden
Version 2016-05-27
Typical Applications
Over-voltage protection
ESD protection
Typische Anwendungen
Schutz gegen Überspannung
ESD-Schutz
SOD-123FL (~ SMF)
Free-wheeling diodes
Commercial grade 1)
Freilauf-Dioden
Standardausführung 1)
0.6±0.25
2.8±0.2
Features
Besonderheiten
Uni- and Bidirectional versions
Peak pulse power of 200 W
(10/1000 µs waveform)
Very fast response time
Low profile package
Uni- und Bidirektionale Versionen
200 W Impuls-Verlustleistung
(10/1000 µs Strom-Impuls)
Sehr schnelle Ansprechzeit
Flache Bauform
3.7±0.2
R
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Type
Code
Pb
V
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
Taped and reeled
3000 / 7“
0.02 g
Gegurtet auf Rolle
Dimensions - Maße [mm]
Weight approx.
Gewicht ca.
Type Code = VWM. Cathode mark
only at unidirectional types
Case material
UL 94V-0
260°C/10s
MSL = 1
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
Löt- und Einbaubedingungen
Type Code = VWM. Kathoden-Markierung
nur bei unidirektionalen Typen
For bidirectional types (suffix “CA”), electrical characteristics apply in both directions.
Für bidirektionale Dioden (mit Suffix “CA”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.
Maximum ratings 2)
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)
Grenzwerte 2)
TA = 25°C
TA = 25°C
TA = 50°C
TA = 25°C
PPPM
PPPM
PM(AV)
IFSM
200 W 3)
1000 W 3)
0.5 W 4)
20 A 5)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)
Peak pulse power dissipation (8/20 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 8/20 µs)
Steady state power dissipation
Verlustleistung im Dauerbetrieb
Peak forward surge current, 60 Hz half sinewave
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinushalbwelle)
Characteristics
Kennwerte
Max. instantaneous forward voltage
IF = 20 A
VF
< 3.5 V 5)
Augenblickswert der Durchlass-Spannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
Thermal resistance junction-ambient – Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung
RthA
< 180 K/W 4)
1
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)
2
3
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)
4
5
Mounted on P. C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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