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SMDJ-65608EV-45

更新时间： 2024-11-12 20:03:59

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TEMIC		静态存储器
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10页	193K
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Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, 0.400 INCH, FP-32

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SMDJ-65608EV-45 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	0.400 INCH, FP-32
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.78
最长访问时间：	45 ns	JESD-30 代码：	R-XDFP-F32
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

SMDJ-65608EV-45 数据手册

M65608

128 K x 8 Ultimate CMOS SRAM

Introduction

The M 65608 is a very low power CMOS static RAM

organized as 131072 × 8 bits. It is manufactured using

the TEMIC high performance CMOS technology named

SCMOS.

current (Typical value = 0.2 µA) with a fast access time

at 25 ns over the full commercial temperature range.

The high stability of the 6T cell provides excellent

protection against soft errors due to noise.

With this process, TEMIC brings the solution to

applications where fast computing is as mandatory as

low consumption, such as aerospace electronics,

portable instruments, or embarked systems.

For military/space applications that demand superior

levels of performance and reliability the M 65608 is

processed according to the methods of the latest revision

of the MIL STD 883 (class B or S) and/or ESA SCC

9000.

Utilizing an array of six transistors (6T) memory cells,

the M 65608 combines an extremely low standby supply

Features

D Access time : commercial : 25/30/35/45 ns

industrial and military : 25/30/35/45 ns

D Very low power consumption

active : 250 mW (Typ)

D TTL compatible inputs and outputs

D Asynchronous

D Single 5 volt supply

D Equal cycle and access time

D Gated inputs :

standby : 1 µW (Typ)

data retention : 0.5 µW (Typ)

no pull-up/down

D Wide temperature Range : –55 To +125°C

resistors are required

D 400 Mils width package

Interface

Block Diagram

MATRA MHS

Rev. B (23/03/96)

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMDJ-65608EV-45/883	ATMEL	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, 0.400 INCH, FP-32
SMDJ-65608EV-45SB	ATMEL	获取价格	Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM
SMDJ-65608EV-45SC	ATMEL	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, 0.400 INCH, FP-32
SMDJ-65608V-30/883:R	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDFP32,
SMDJ-65608V-30/883:RD	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDFP32,
SMDJ-65608V-30EHXXX	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDFP32,
SMDJ-65608V-30EHXXX:R	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDFP32,
SMDJ-65608V-30EHXXX:RD	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDFP32,
SMDJ-65608V-30FHXXX	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDFP32,
SMDJ-65608V-30FHXXX:R	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDFP32,

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