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SMDJ-65608EV-45SC

更新时间： 2024-09-24 13:13:43

品牌	Logo	应用领域
爱特美尔 - ATMEL		静态存储器
页数	文件大小	规格书
15页	337K
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Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, 0.400 INCH, FP-32

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SMDJ-65608EV-45SC 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DFP
包装说明：	0.400 INCH, FP-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.86
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	45 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDFP-F32
JESD-609代码：	e0	长度：	20.825 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	128KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DFP
封装等效代码：	FL32,.4	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.72 mm
最大待机电流：	0.00015 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.415 mm
Base Number Matches：	1

SMDJ-65608EV-45SC 数据手册

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Features

• Operating Voltage: 5V

• Access Time: 30, 45 ns

• Very Low Power Consumption

– Active: 250 mW (Typ)

– Standby: 1 µW (Typ)

– Data Retention: 0.5 µW (Typ)

• Wide Temperature Range: -55°C to +125°C

• 400 Mils Width Packages: FP32 and SB32

• TTL Compatible Inputs and Outputs

• Asynchronous

• Single 5V Supply

• Equal Cycle and Access Time

• Gated Inputs:

Rad. Tolerant

128K x 8

– No Pull-up/down

Very Low Power

5V CMOS SRAM

– Resistors Are Required

• QML Q and V with SMD 5962-89598

• ESCC B with Specification 9301/047

Description

M65608E

The M65608E is a very low power CMOS static RAM organized as 131072 x 8 bits.

Atmel brings the solution to applications where fast computing is as mandatory as low

consumption, such as aerospace electronics, portable instruments, or embarked

systems.

Utilizing an array of six transistors (6T) memory cells, the M65608E combines an

extremely low standby supply current (Typical value = 0.2 µA) with a fast access time

at 30 ns over the full military temperature range. The high stability of the 6T cell pro-

vides excellent protection against soft errors due to noise.

The M65608E is processed according to the methods of the latest revision of the MIL

STD 883 (class B or S), ESA SCC 9000 or QML.

Rev. 4151I–AERO–03/04

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMDJ-65608V-30/883:R	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDFP32,
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