Datasheet > SMDJ-65608EV-30

SMDJ-65608EV-30

更新时间： 2024-01-27 19:44:13

品牌	Logo	应用领域
TEMIC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	193K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, 0.400 INCH, FP-32

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SMDJ-65608EV-30 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	DFP	包装说明：	DFP, FL32,.4
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.67	最长访问时间：	30 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDFP-F32
JESD-609代码：	e0	长度：	20.825 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	128KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DFP
封装等效代码：	FL32,.4	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883 Class B	座面最大高度：	2.72 mm
最大待机电流：	0.00015 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
总剂量：	30k Rad(Si) V	宽度：	10.415 mm
Base Number Matches：	1

SMDJ-65608EV-30 数据手册

M65608

128 K x 8 Ultimate CMOS SRAM

Introduction

The M 65608 is a very low power CMOS static RAM

organized as 131072 × 8 bits. It is manufactured using

the TEMIC high performance CMOS technology named

SCMOS.

current (Typical value = 0.2 µA) with a fast access time

at 25 ns over the full commercial temperature range.

The high stability of the 6T cell provides excellent

protection against soft errors due to noise.

With this process, TEMIC brings the solution to

applications where fast computing is as mandatory as

low consumption, such as aerospace electronics,

portable instruments, or embarked systems.

For military/space applications that demand superior

levels of performance and reliability the M 65608 is

processed according to the methods of the latest revision

of the MIL STD 883 (class B or S) and/or ESA SCC

9000.

Utilizing an array of six transistors (6T) memory cells,

the M 65608 combines an extremely low standby supply

Features

D Access time : commercial : 25/30/35/45 ns

industrial and military : 25/30/35/45 ns

D Very low power consumption

active : 250 mW (Typ)

D TTL compatible inputs and outputs

D Asynchronous

D Single 5 volt supply

D Equal cycle and access time

D Gated inputs :

standby : 1 µW (Typ)

data retention : 0.5 µW (Typ)

no pull-up/down

D Wide temperature Range : –55 To +125°C

resistors are required

D 400 Mils width package

Interface

Block Diagram

MATRA MHS

Rev. B (23/03/96)

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与SMDJ-65608EV-30相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMDJ-65608EV-30SB	ATMEL	获取价格	Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM
SMDJ-65608EV-30SC	ATMEL	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, 0.400 INCH, FP-32
SMDJ-65608EV-45	ATMEL	获取价格	暂无描述
SMDJ-65608EV-45	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, 0.400 INCH, FP-32
SMDJ-65608EV-45/883	ATMEL	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, 0.400 INCH, FP-32
SMDJ-65608EV-45SB	ATMEL	获取价格	Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM
SMDJ-65608EV-45SC	ATMEL	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, 0.400 INCH, FP-32
SMDJ-65608V-30/883:R	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDFP32,
SMDJ-65608V-30/883:RD	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDFP32,
SMDJ-65608V-30EHXXX	TEMIC	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDFP32,

与SMDJ-65608EV-30相关文章

共享储能电站：数据驱动与政策引领下的黄金机遇
2024-06-26

9
US1M数据手册解读：产品特性、替换型号推荐
2024-06-26

3
解析BAV99LT1G手册：参数分析、替换型号推荐
2024-06-26

3
解读BSS138PW数据手册：产品特性、电气参数及替换型号推荐
2024-06-26

5

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SMDJ-65608EV-30

SMDJ-65608EV-30 技术参数

SMDJ-65608EV-30 数据手册

与SMDJ-65608EV-30相关器件

与SMDJ-65608EV-30相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SMDJ-65608EV-30

SMDJ-65608EV-30 技术参数

SMDJ-65608EV-30 数据手册

与SMDJ-65608EV-30相关器件

与SMDJ-65608EV-30相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？