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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.67 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 50 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.28 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 40 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 165 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 125 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SMD10P06 | TEMIC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| SMD10P06 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor, |
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| SMD10P06L | TEMIC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| SMD10P06L | VISHAY |
获取价格 |
Transistor, |
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| SMD11.0592M | LGE |
获取价格 |
CRYSTAL UNITS |
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| SMD1102 | SUMMIT |
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10-Bit Data Acquisition System for Autonomous Environmental Monitoring |
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| SMD1103 | SUMMIT |
获取价格 |
10-Bit Data Acquisition System for Autonomous Environmental Monitoring |
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| SMD1103S | SUMMIT |
获取价格 |
10-Bit Data Acquisition System for Autonomous Environmental Monitoring |
|
| SMD1108 | SUMMIT |
获取价格 |
8-Channel Auto-Monitor ADC In System Programmable Analog (ISPA) Device |
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| SMD1108F | SUMMIT |
获取价格 |
8-Channel Auto-Monitor ADC In System Programmable Analog (ISPA) Device |
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