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SMBJ85

更新时间： 2024-01-30 02:27:35
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页数 文件大小 规格书
4页 208K
描述
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR Excellent clamping capability

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SMBJ85 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-214AA包装说明：R-PDSO-C2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.1Is Samacsys：N
最大击穿电压：115 V最小击穿电压：94.4 V
击穿电压标称值：104.7 V最大钳位电压：151 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码：DO-214AA
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1最大非重复峰值反向功率耗散：600 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：1.38 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：85 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：Tin/Lead (Sn90Pb10)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SMBJ85 数据手册

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SMBJ5.0 THRU SMBJ170CA  
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR  
Breskdown voltage: 5.0-170 Volts Peak pulse power: 600 Wallts  
FEATURE  
Optimzed for LAN protection applications  
Ideal for ESD protection of data lines in accordance  
with IEC 1000-4-2(IEC801-2)  
Ideal for EFT protection of data lines in accordance  
with IEC1000-4-4(IEC801-2)  
DO-214AA/SMB  
Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability  
Classification 94V-0  
0.091 (2.30)  
0.067 (1.70)  
0.155(3.94)  
0.130(3.30)  
Glass passivated junction  
600w peak pulse power capability  
Excellent clamping capability  
Low incremental xurge resistance  
Fast response time:typically less than 1.0ps from 0v to  
V(BR) min  
High temperature soldering guaranteed:  
265 C/10S at terminals  
0.180(4.57)  
0.160(4.06)  
0.012(0.305)  
0.006(0.152)  
0.122(3.12)  
0.110(2.82)  
MECHANICAL DATA  
Case: JEDEC DO-214AA molded plastic body over  
passivated junction  
0.060(1.52)  
0.030(0.76)  
0.008(0.203)MAX.  
Terminals: Solder plated , solderable per MIL-STD 750,  
method 2026  
0.220(5.59)  
0.205(5.21)  
Polarity: Color band denotes cathode except for  
bidirectional types  
Mounting Position: Any  
Weight: 0.005 ounce,0.138 grams  
Dimensions in inches and (millimeters)  
DEVICES FOR BIDIRECTIONAL APPLICATIONS  
For bidirectional use suffix C or CA for types SMBJ5.0 thru SMBJ170 (e.g. SMBJ5.0C,SMBJ170CA)  
Electrical characteristics apply in both directions.  
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
SYMBOLS  
VALUE  
UNITS  
PPPM  
IFSM  
Peak pulse power dissipation with a 10/1000µs wavetorm(NOTE 1,2,FIG.1)  
Minimum 600  
100.0  
Watts  
Amps  
Amps  
Watts  
Volts  
Peak forward surge current  
(Note 1,2,3)  
IPPM  
Peak pulse current with a 10/1000µs waveform(NOTE 1)  
Steady state power dissapation (Note 3)  
See Table 1  
5.0  
PM(AV)  
VF  
Maximum instantaneous forward voltage at 50A(Note 3,4) unidirectional only  
Operating junction and storage temperature range  
3.5/5.0  
TSTG,TJ  
-55 to + 150  
C
Notes: 1.Non-repetitive current pulse,per Fig.3 and derated above TA=25 C per Fig.2  
2.Mounted on 5.0mm2 copper pads to each terminal  
3.Measured on 8.3ms single half sine-wine.For uni-directional devices only.  
4.VF=3.5V on SMB-5.0 thru SMB-90 devices and VF=5.0V on SMB-100 thru SMB-170 devices  
MDD ELECTRONIC  
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与SMBJ85相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SMBJ85(C) BYTESONIC

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 		SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
SMBJ85(C)A BYTESONIC

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 		SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
SMBJ85(C)AS GOOD-ARK

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 		TVS
SMBJ85/5 VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, PLASTI
SMBJ85/TR MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 85V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 85V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJ85-51-E3 VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 85V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 85V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2

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