SMBJ85/TR

更新时间： 2024-02-04 16:01:57

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		二极管光电二极管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	143K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 85V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, PLASTIC PACKAGE-2

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SMBJ85/TR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-214AA	包装说明：	R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.1	Is Samacsys：	N
最大击穿电压：	115 V	最小击穿电压：	94.4 V
击穿电压标称值：	104.7 V	最大钳位电压：	151 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1.38 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	85 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Tin/Lead (Sn90Pb10)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

12 3

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMBJ85/TR13	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 85V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJ85/TR7	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 85V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJ85-51-E3	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 85V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJ85-52-E3	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 85V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJ85-5B	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 85V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJ85-5B-E3	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 85V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJ85A	EIC	获取价格	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
SMBJ85A	FAIRCHILD	获取价格	Transient Voltage Suppressors SMBJ5V0(C)A - SMBJ170(C)A
SMBJ85A	BOURNS	获取价格	SMBJ Transient Voltage Suppressor Diode Series
SMBJ85A	VISHAY	获取价格	SURFACE MOUNT TRANSZORB⑩ TRANSIENT VOLTAGE SU