Datasheet > SMBJ40CAT3

SMBJ40CAT3

更新时间： 2024-11-12 21:12:31

品牌	Logo	应用领域
快达 - CRYDOM		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	69K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 40V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SMBJ40CAT3 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.09
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW INDUCTANCE
最大击穿电压：	51.1 V	最小击穿电压：	44.4 V
击穿电压标称值：	47.8 V	最大钳位电压：	64.5 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性：	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	40 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

SMBJ40CAT3 数据手册

Tr a n s i e n t Vo l t a g e S u p p r e s s i o n (TVS ) Di o d e s

S M B J 5 . 0 – S M B J 1 7 0 CA

S e r i e s

MECHANICAL DATA

Invisible Protection

• Case: D0214AA molded plastic

over glass passivated junction

UL94V(0) (Thermoset) Epoxy

• Terminals: Solder plated solderable

per MIL-STD-750 Method 2026

• Solderable leads: 230°C for 10 s

• Marking: Cathode band (positive

terminal, uni-directional devices

only), device code, logo

When no problems exist, Crydom TVS

Diodes are totally invisible to the circuits

they're protecting. But when potentially

damaging transients occur, they provide

high-speed protection to prevent damage

– and then return to their electronically

invisible state.

APPLICATIONS FOR SURFACE MOUNT

TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS

Protect sensitive electronics against volt-

age transients induced by electrostatic

discharge (ESD), inductive load switching,

and lightning. Ideal for the protection of

I/O interfaces, Vcc bus, and other inte-

grated circuits.

• Weight: 0.093 grams (approx.)

MAXIMUM RATINGS

• Peak pulse power (PPK) 600 watts

(10 X 1000 µs)

• 1.5 watt steady state

-12

• Response time: 1 X 10 s (theoretical)

• Forward surge rating: 100 A, 8.3 ms sin-

gle half sine wave (uni-directional only)

• Operating and storage temperature:

-55°C to +150°C

FEATURES

• Glass passivated junction

• Stand-off voltage range: 5-170 V

• Uni-directional and bi-directional

• Jedec package designed to meet SM

assembly needs

• Low lead inductance

• 100% surge tested

To Order: 1-877-502-5500 Fax: 1-619-715-7280

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与SMBJ40CAT3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMBJ40CA-T3	SENSITRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 40V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21
SMBJ40CA-TP	MCC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 40V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21
SMBJ40CATR	ETC	获取价格	TVS DIODE 40V 64.5V SMB
SMBJ40CA-TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	TRANSILTM
SMBJ40CD-M3/I	VISHAY	获取价格	TVS DIODE 40V 63.6V DO214AA
SMBJ40C-E3/52	VISHAY	获取价格	TVS DIODE 40V 71.4V DO214AA
SMBJ40C-E3/5B	VISHAY	获取价格	TVS DIODE 40V 71.4V DO214AA
SMBJ40CE3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 40V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21
SMBJ40CE3/TR13	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 40V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21
SMBJ40CE3/TR7	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 40V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21

与SMBJ40CAT3相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

23
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

8
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

9
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SMBJ40CAT3

SMBJ40CAT3 技术参数

SMBJ40CAT3 数据手册

与SMBJ40CAT3相关器件

与SMBJ40CAT3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SMBJ40CAT3

SMBJ40CAT3 技术参数

SMBJ40CAT3 数据手册

与SMBJ40CAT3相关器件

与SMBJ40CAT3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？