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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 3页 | 460K |  |
| 描述 | ||
| Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, | ||
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PDSO-C2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.62 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | UL RECOGNIZED |
| 最大击穿电压： | 56.3 V | 最小击穿电压： | 44.4 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JEDEC-95代码： | DO-214AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 600 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性： | BIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 1.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | C BEND | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SMBJ40CTR | MICROSEMI |
获取价格 |
600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, PLASTIC PACKAGE-2 |
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| SMBJ40CTRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 40V V(RWM), Bidirectional, |
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| SMBJ40D / CD | SWST |
获取价格 |
瞬态电压抑制管 |
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| SMBJ40E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 40V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
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| SMBJ40-E3/52 | VISHAY |
获取价格 |
TVS DIODE 40V 71.4V DO214AA |
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| SMBJ40-E3/5B | VISHAY |
获取价格 |
TVS DIODE 40V 71.4V DO214AA |
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| SMBJ40E3/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 40V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
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| SMBJ40E3/TR13 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 40V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
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| SMBJ40E3/TR7 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 40V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
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| SMBJ40E3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
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