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SM8S33-2E

更新时间： 2024-11-11 20:58:15

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
4页	89K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 5200W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-218AB

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SM8S33-2E 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	DO-218	包装说明：	R-PSSO-C1
针数：	1	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.59	其他特性：	PATENTED DEVICE
最大击穿电压：	44.9 V	最小击穿电压：	36.7 V
击穿电压标称值：	40.8 V	外壳连接：	ANODE
最大钳位电压：	59 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-218AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-C1
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值反向功率耗散：	5200 W
元件数量：	1	端子数量：	1
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	8 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	33 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	C BEND
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

SM8S33-2E 数据手册

SM8S Series

New Product

Vishay Semiconductors

formerly General Semiconductor

Surface Mount Automotive Transient Voltage Suppressors

Stand-off Voltage 10 to 43V

Peak Pulse Power 6600W (10/1000µs)

5200W (10/10,000µs)

DO-218AB

0.628(16.0)

0.592(15.0)

0.539(13.7)

0.524(13.3)

0.116(3.0)

0.093(2.4)

0.413(10.5) 0.342(8.7)

0.374(9.5) 0.327(8.3)

Mounting Pad Layout

0.091(2.3)

0.067(1.7)

0.366(9.3)

0.343(8.7)

0.116(3.0)

0.093(2.4)

0.413(10.5)

0.374(9.5)

0.406(10.3)

0.382(9.7)

Dimensions in

inches and (millimeters)

LEAD 1

0.150(3.8)

0.366(9.3)

0.138(3.5)

0.098(2.5)

0.126(3.2)

0.343(8.7)

0.197(5.0)

0.185(4.7)

0.606(15.4)

0.583(14.8)

0.028(0.7)

0.020(0.5)

0.016 (0.4) Min.

Patent #’s:

4,980,315

5,166,769

5,278,095

0.098(2.5)

0.059(1.5)

LEAD 2/METAL HEATSINK

Features

Mechanical Data

• Ideally suited for load dump protection

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-0

• High temperature stability due to unique oxide passiva-

tion and patented PAR^®construction

• Integrally molded heatsink provides a very low thermal

resistance for maximum heat dissipation

• Low leakage current at T_J= 175°C

Case: Molded plastic body, surface mount with heatsink

integrally mounted in the encapsulation

Terminals: Plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026

Polarity: Heatsink is anode

Mounting Position: Any

Weight: 0.091 oz., 2.58 g

Packaging codes/options:

• High temperature soldering guaranteed:

260°C for 10 seconds at terminals

• Meets ISO7637-2 surge spec.

2D/750 per 13" Reel (16mm Tape),

anode towards sprocket hole, 4.5K/box

2E/750 per 13" Reel (16mm Tape),

cathode towards sprocket hole, 4.5K/box

• Low forward voltage drop

Maximum Ratings and Thermal Characteristics(T = 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Peak pulse power dissipation with 10/1000µs waveform

10/10,000µs waveform

6600

5200

P_PPM

Steady state power dissipation

P_D

I_PPM

8.0

See Table 1

700

Peak pulse current with a 10/1000µs waveform⁽¹⁾

Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave

Typical thermal resistance junction to case

Operating junction and storage temperature range

I_FSM

R_θJC

0.90

°C/W

°C

T_J, T_STG

-55 to +175

Notes: (1) Non-repetitive current pulse derated above T_A=25°C

Document Number 88387

04-Jun-04

www.vishay.com

12 3 4

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与SM8S33-2E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SM8S33A	VISHAY	获取价格	Surface Mount Automotive Transient Voltage Suppressors
SM8S33A	LGE	获取价格	暂无描述
SM8S33A	UNSEMI	获取价格	用于汽车电子保护，可通过ISO7637-5A5B测试标准。
SM8S33A	SUNMATE	获取价格	6600W patch TVS transient suppression diode DO-218 33V
SM8S33A	LEIDITECH	获取价格	6600W Transient Voltage Suppressor
SM8S33A	WON-TOP	获取价格	SMD
SM8S33A	BL Galaxy Electrical	获取价格	33V,6600W,Surface Mount TVS
SM8S33A	WEEN	获取价格	SM8S series, 6600W transient voltage suppressor (TVS) in DO218 package, designed to protec
SM8S33A	ANBON	获取价格	DO-218AB
SM8S33A	RECTRON	获取价格	Package / Case : DO-218;Mounting Style : SMD/SMT;Power Rating : 6600 W;Polarity : Unidirec

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