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SM8S12A-2E

更新时间： 2024-02-20 08:26:55

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
4页	89K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 5200W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-218AB, PLASTIC PACKAGE-1

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SM8S12A-2E 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-218
包装说明：	R-PSSO-C1	针数：	1
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.38
其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT	最大击穿电压：	14.7 V
最小击穿电压：	13.3 V	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-218AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-C1	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值反向功率耗散：	5200 W	元件数量：	1
端子数量：	1	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	8 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	12 V
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	C BEND
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

SM8S12A-2E 数据手册

SM8S Series

New Product

Vishay Semiconductors

formerly General Semiconductor

Surface Mount Automotive Transient Voltage Suppressors

Stand-off Voltage 10 to 43V

Peak Pulse Power 6600W (10/1000µs)

5200W (10/10,000µs)

DO-218AB

0.628(16.0)

0.592(15.0)

0.539(13.7)

0.524(13.3)

0.116(3.0)

0.093(2.4)

0.413(10.5) 0.342(8.7)

0.374(9.5) 0.327(8.3)

Mounting Pad Layout

0.091(2.3)

0.067(1.7)

0.366(9.3)

0.343(8.7)

0.116(3.0)

0.093(2.4)

0.413(10.5)

0.374(9.5)

0.406(10.3)

0.382(9.7)

Dimensions in

inches and (millimeters)

LEAD 1

0.150(3.8)

0.366(9.3)

0.138(3.5)

0.098(2.5)

0.126(3.2)

0.343(8.7)

0.197(5.0)

0.185(4.7)

0.606(15.4)

0.583(14.8)

0.028(0.7)

0.020(0.5)

0.016 (0.4) Min.

Patent #’s:

4,980,315

5,166,769

5,278,095

0.098(2.5)

0.059(1.5)

LEAD 2/METAL HEATSINK

Features

Mechanical Data

• Ideally suited for load dump protection

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-0

• High temperature stability due to unique oxide passiva-

tion and patented PAR^®construction

• Integrally molded heatsink provides a very low thermal

resistance for maximum heat dissipation

• Low leakage current at T_J= 175°C

Case: Molded plastic body, surface mount with heatsink

integrally mounted in the encapsulation

Terminals: Plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026

Polarity: Heatsink is anode

Mounting Position: Any

Weight: 0.091 oz., 2.58 g

Packaging codes/options:

• High temperature soldering guaranteed:

260°C for 10 seconds at terminals

• Meets ISO7637-2 surge spec.

2D/750 per 13" Reel (16mm Tape),

anode towards sprocket hole, 4.5K/box

2E/750 per 13" Reel (16mm Tape),

cathode towards sprocket hole, 4.5K/box

• Low forward voltage drop

Maximum Ratings and Thermal Characteristics(T = 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Peak pulse power dissipation with 10/1000µs waveform

10/10,000µs waveform

6600

5200

P_PPM

Steady state power dissipation

P_D

I_PPM

8.0

See Table 1

700

Peak pulse current with a 10/1000µs waveform⁽¹⁾

Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave

Typical thermal resistance junction to case

Operating junction and storage temperature range

I_FSM

R_θJC

0.90

°C/W

°C

T_J, T_STG

-55 to +175

Notes: (1) Non-repetitive current pulse derated above T_A=25°C

Document Number 88387

04-Jun-04

www.vishay.com

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与SM8S12A-2E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SM8S12AD	SOCAY	获取价格	Surface Mount Transient Voltage Suppressors (TVS)
SM8S12A-E3/2D	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 5200W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SM8S12AHE3	MCC	获取价格	Tape&Reel: 750pcs/Reel;
SM8S12AHE3_A/I	VISHAY	获取价格	TVS DIODE 12V 19.9V DO218AB
SM8S12A-LF-T13	PROTEC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 6600W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SM8S12AQ	YANGJIE	获取价格	DO-218AB
SM8S12A-T13	PROTEC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode
SM8S12A-T750	PROTEC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode,
SM8S12A-TP	MCC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode,
SM8S12C	EIC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 6600W, 12V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, TO-2

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