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SM8S12C

更新时间： 2024-11-27 21:00:55

品牌	Logo	应用领域
EIC		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
3页	168K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 6600W, 12V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3/2

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SM8S12C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.58	其他特性：	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压：	16.3 V	最小击穿电压：	13.3 V
外壳连接：	ANODE	配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
最大非重复峰值反向功率耗散：	6600 W	元件数量：	2
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	8 W	最大重复峰值反向电压：	12 V
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

SM8S12C 数据手册

Certificate TH97/10561QM

Certificate TW00/17276EM

SURFACE MOUNT

SM8S SERIES

TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

Stand-off Voltage: 10 to 43 Volts

Peak Pulse Power: 6600W(10/1000μs)

: 5200W(10/10,000μs)

D²PAK

0.189(4.8)

0.137(4.4)

0.055(1.4)

0.047(1.2)

0.409(10.4)

0.387(9.80)

FEATURES :

* Excellent clamping capability

* Low incremental surge resistance

* Fast response time : typically less

then 1.0 ps from 0 volt to V_BR(min.)

* Dual Diode construction

* Pb / RoHS Free

0.110(2.8)

0.236(6.0)

0.197(5.0)

0.055(1.4)

0.039(1.0)

0.026(0.7)

0.011(0.3)

0.035(0.9)max.

0.108(2.75)

0.092(2.35)

MECHANICAL DATA

0.108(2.75)

0.092(2.35)

* Case : D²PAK(TO-263)

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Surface Mount per J-STD-020C,

Method 208 guaranteed

1. Cathode

2. Heatsink

3. Cathode

0.33(8.38)

* Polarity : Heatsink is Anode

* Mounting position : Any

* Weight : 1.7 grams (approximately)

0.42(10.66)

0.24(6.096)

0.63(17.02)

DEVICES FOR UNIPOLAR APPLICATIONS

For uni-directional without "C"

Dimensions in inches and ( millimeters )

Electrical characteristics apply in both directions

Maximum Ratings and Thermal Characteristics (T_C= 25°C unless otherwise noted)

Rating

Symbol

P_PPM

Value

6600

5200

8.0

Unit

Peak Pulse Power Dissipation with 10/1000μs waveform

10/10,000μs waveform

P_D

Steady State Power Dissipation

Peak Forward Surge Current,

I_FSM

700

8.3ms Single Half Sine-Wave

Typical Thermal Resistance Junction to Case

Operating and Storage Temperature Range

0.9

°C/W

°C

T_J, T_STG

- 55 to + 175

Page 1 of 3

Rev. 03 : August 8, 2006

12 3

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