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SM2604T-6 PDF预览

SM2604T-6

更新时间： 2024-01-01 00:46:00
品牌 Logo 应用领域
铁电 - RAMTRON 时钟动态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
33页 305K
描述
Synchronous DRAM, 4MX16, 4.3ns, CMOS, PDSO54, TSOP-54

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SM2604T-6 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：TSOP, TSOP54,.46,32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.83
访问模式：FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间：4.3 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：166 MHz
I/O 类型：COMMON交错的突发长度：1,2,4,8
JESD-30 代码：R-PDSO-G54JESD-609代码：e0
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：54
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP封装等效代码：TSOP54,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：2.5/3.3,3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
自我刷新：YES连续突发长度：1,2,4,8,FP
子类别：Other Memory ICs最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SM2604T-6 数据手册

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64Mbit – Enhanced SDRAM  
8Mx8, 4Mx16 ESDRAM  
Preliminary Datasheet  
Features  
Description  
•
•
•
High Performance 166 MHz Superset to SDRAM  
100% Pin Compatible with SDRAM  
100% Function and Timing Compatible with JEDEC  
Standard SDRAM  
Integrated 16 Kbit SRAM Row Cache  
Low latency Operation  
The SM2603 and 2604 Enhanced SDRAM (ESDRAM)  
devices are JEDEC superset standard SDRAM. While  
pin, function, and timing compatible with standard  
SDRAM, they combine improved speed and innovative  
architecture to optimize system price/performance in  
high performance main memory, video graphics, and  
embedded systems.  
•
•
•
Synchronous Operation up to 166 MHz  
•
•
2:2:2 @ 166 MHz  
1:1:1 @ 83 MHz  
The four bank architecture combines 22.5 ns DRAM  
arrays with 10.5 ns SRAM row caches. Three significant  
functional features include early auto-precharge, hidden  
RAS to CAS delay (tRCD), and an optional No Write  
Transfer mode. The ESDRAM is capable of maintaining  
four open read pages and four open write pages  
simultaneously in No Write Transfer mode.  
•
•
•
•
•
Programmable Output Impedance (EMRS)  
Programmable Burst Length (1, 2, 4, 8, full page)  
Programmable CAS Latency (1, 2, 3)  
Hidden Auto-Refresh Without Closing Read Pages  
Low Power Suspend, Self Refresh, and Power Down  
Modes Supported  
•
•
Programmable Write Policy  
Programmable Read DQM Latency = 1 for CL = 1  
(EMRS)  
•
•
•
•
4K Refresh / 64 ms  
Single 3.3V Power Supply  
Flexible VDDQ Supports LVTTL and 2.5V I/O  
54-pin TSOP-II (0.8mm pin pitch)  
Block Diagram (4Mx16 shown)  
BANK A  
BANK B  
BANK C  
BANK D  
BA1  
BA0  
4K rows x  
256 col x  
16 bits  
4K rows x  
256 col x  
16 bits  
4K rows x  
256 col x  
16 bits  
4K rows x  
256 col x  
16 bits  
A(11:0)  
SENSE  
SENSE  
SENSE  
SENSE  
AMPLIFIERS  
AMPLIFIERS  
AMPLIFIERS  
AMPLIFIERS  
SRAM ROW  
CACHE  
SRAM ROW  
CACHE  
SRAM ROW  
CACHE  
SRAM ROW  
CACHE  
COLUMN  
COLUMN  
COLUMN  
COLUMN  
DECODER  
DECODER  
DECODER  
DECODER  
Data I/O Buffers  
DQ(15:0)  
CLK  
CKE  
COMMAND  
CS#  
DECODER  
RAS#  
and  
CAS#  
TIMING  
WE#  
GENERATOR  
UDQM  
LDQM  
This is a product in sampling or pre-production phase of development. Charac-  
teristic data and other specifications are subject to change without notice.  
Enhanced Memory Systems Inc., 1850 Ramtron Dr., Colo Spgs, CO 80921  
PHONE: (800) 545-DRAM; FAX: (719) 488-9095; http://www.edram.com  
Revision 1.1  
Page 1 of 33  
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与SM2604T-6相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
SM2604T-7.5 RAMTRON Synchronous DRAM, 4MX16, 4.5ns, CMOS, PDSO54, TSOP-54

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