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SM2604T-6

更新时间: 2024-02-03 10:57:28
品牌 Logo 应用领域
铁电 - RAMTRON 时钟动态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
33页 305K
描述
Synchronous DRAM, 4MX16, 4.3ns, CMOS, PDSO54, TSOP-54

SM2604T-6 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:TSOP, TSOP54,.46,32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.83
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:4.3 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):166 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G54JESD-609代码:e0
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:54
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP封装等效代码:TSOP54,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:2.5/3.3,3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
自我刷新:YES连续突发长度:1,2,4,8,FP
子类别:Other Memory ICs最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

SM2604T-6 数据手册

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64Mbit – Enhanced SDRAM  
8Mx8, 4Mx16 ESDRAM  
Preliminary Datasheet  
Pin Assignments (Top View)  
8Mx8  
4Mx16  
1
2
3
4
5
6
7
8
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
VDD  
DQ0  
VDDQ  
NC  
DQ1  
VSSQ  
NC  
DQ2  
VDDQ  
NC  
DQ3  
VSSQ  
NC  
VDD  
DQ0  
VDDQ  
DQ1  
DQ2  
VSSQ  
DQ3  
DQ4  
VDDQ  
DQ5  
DQ6  
VSSQ  
DQ7  
VDD  
LDQM  
WE#  
CAS#  
RAS#  
CS#  
VSS  
VSS  
DQ15  
VSSQ  
DQ14  
DQ13  
VDDQ  
DQ12  
DQ11  
VSSQ  
DQ10  
DQ9  
VDDQ  
DQ8  
VSS  
NC  
UDQM  
CLK  
CKE  
NC  
A11  
A9  
DQ7  
VSSQ  
NC  
DQ6  
VDDQ  
NC  
DQ5  
VSSQ  
NC  
DQ4  
VDDQ  
NC  
VSS  
NC  
DQM  
CLK  
CKE  
NC  
A11  
A9  
A8  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
54-pin TSOP-II  
400 x 875 mils  
0.8 mm pitch  
VDD  
NC  
WE#  
CAS#  
RAS#  
CS#  
BA0  
BA1  
A10/AP  
A0  
BA0  
BA1  
A10/AP  
A0  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
VSS  
A7  
A6  
A5  
A4  
A1  
A2  
A3  
VDD  
A1  
A2  
A3  
VDD  
VSS  
This is a product in sampling or pre-production phase of development. Charac-  
teristic data and other specifications are subject to change without notice.  
Enhanced Memory Systems Inc., 1850 Ramtron Dr., Colo Spgs, CO 80921  
PHONE: (800) 545-DRAM; FAX: (719) 488-9095; http://www.edram.com  
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Revision 1.1  

与SM2604T-6相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SM2604T-7.5 RAMTRON

获取价格

Synchronous DRAM, 4MX16, 4.5ns, CMOS, PDSO54, TSOP-54
SM2605Q-10 RAMTRON

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Synchronous DRAM, 2MX32, 4.7ns, CMOS, PQFP100, LQFP-100
SM2605Q-6 RAMTRON

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Synchronous DRAM, 2MX32, 4.3ns, CMOS, PQFP100, LQFP-100
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Synchronous DRAM, 2MX32, 4.5ns, CMOS, PQFP100, LQFP-100
SM260A LRC

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Schottky Barrier Rectifiers Reverse Voltage 20 to100V
SM260A TAYCHIPST

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SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
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2.0 AMP SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
SM260A SECOS

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2.0 AMP Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
SM260A-E LRC

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Schottky Barrier Rectifiers Reverse Voltage 20 to100V Forward Current 2.0A
SM260AF SECOS

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20V ~200V 2.0 Amp Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers