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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-D3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.82 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 换向电压的临界上升率-最小值： | 10 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 50 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| 最大维持电流： | 70 mA | JESD-30 代码： | R-PUFM-D3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 25 A | 重复峰值关态漏电流最大值： | 3000 µA |
| 断态重复峰值电压： | 400 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 触发设备类型： | TRIAC | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SM25GZ51 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR ILICON PLANAR TYPE |
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| SM25H-10-FREQ3 | PLETRONICS |
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Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 8MHz Min, 11.999MHz Max, SURFACE MOUNT PACKAGE-2 |
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| SM25HR134 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 120A, 2500V V(RRM), Silicon, |
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| SM25HR144 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 123A, 2500V V(RRM), Silicon, |
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| SM25H-SR-FREQ1 | PLETRONICS |
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Series - Fundamental Quartz Crystal, 3.2MHz Min, 4.999MHz Max, SURFACE MOUNT PACKAGE-2 |
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| SM25H-SR-FREQ2 | PLETRONICS |
获取价格 |
Series - Fundamental Quartz Crystal, 5MHz Min, 7.999MHz Max, SURFACE MOUNT PACKAGE-2 |
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| SM25HXC103 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 310A, 2500V V(RRM), Silicon, |
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| SM25HXC166 | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 240A, 2500V V(RRM), Silicon, |
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| SM25JZ41 | TOSHIBA |
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TRIAC, 600 V, 25 A, TRIAC |
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| SM25JZ51 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR ILICON PLANAR TYPE |
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