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SM25GZ51

更新时间： 2024-11-13 22:18:11
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东芝 - TOSHIBA 局域网
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5页 192K
描述
TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR ILICON PLANAR TYPE

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SM25GZ51 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：End Of Life包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.82外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE换向电压的临界上升率-最小值：10 V/us
关态电压最小值的临界上升速率：100 V/us最大直流栅极触发电流：30 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 V最大维持电流：60 mA
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
最大漏电流：0.01 mA元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：25 A重复峰值关态漏电流最大值：20 µA
断态重复峰值电压：400 V子类别：TRIACs
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：TRIAC
Base Number Matches：1

SM25GZ51 数据手册

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SM25GZ51,SM25JZ51  
TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR ILICON PLANAR TYPE  
SM25GZ51,SM25JZ51  
AC POWER CONTROL APPLICATIONS  
Unit: mm  
l Repetitive Peak Off−State Voltage : V  
= 400, 600V  
DRM  
= 25A  
T (RMS)  
l R.M.S On−State Current  
l High Commutating (dv / dt)  
l Isolation Voltage  
: I  
: (dv / dt) c = 10V / µs  
: V = 1500V AC  
Isol  
MAXIMUM RATINGS  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
RATING  
UNIT  
V
SM25GZ51  
SM25JZ51  
400  
600  
Repetitive Peak  
V
DRM  
Off−State Voltage  
R.M.S On−State Current  
I
25  
A
A
T (RMS)  
(Full Sine Waveform Tc = 73°C)  
230 (50Hz)  
253 (60Hz)  
260  
Peak One Cycle Surge On−State  
I
TSM  
Current (Non-Repetitive)  
2
2
2
I t Limit Value  
I t  
A s  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Critical Rate of Rise  
di / dt  
50  
A / µs  
of On−State Current  
(Note 1)  
TOSHIBA  
Weight: 5.9g  
13−16A1A  
Peak Gate Power Dissipation  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Gate Voltage  
P
5
0.5  
W
W
V
GM  
P
G (AV)  
V
10  
GM  
Note 1: di / dt Test Condition  
= 0.5 × Rated  
Peak Gate Current  
I
2
A
GM  
V
DRM  
I
t
t
≤ 40A  
TM  
gw  
Junction Temperature  
T
j
−40~125  
−40~125  
1500  
°C  
°C  
V
≥ 10µs  
Storage Temperature Range  
Isolation Voltage (AC, t = 1 min.)  
T
stg  
Isol  
≤ 250ns  
gr  
V
i
= I × 2.0  
GT  
gp  
1
2001-07-13  
12345

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与SM25GZ51相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SM25H-10-FREQ3 PLETRONICS

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 		Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 8MHz Min, 11.999MHz Max, SURFACE MOUNT PACKAGE-2
SM25HR134 IXYS

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 120A, 2500V V(RRM), Silicon,
SM25HR144 IXYS

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 123A, 2500V V(RRM), Silicon,
SM25H-SR-FREQ1 PLETRONICS

获取价格

 		Series - Fundamental Quartz Crystal, 3.2MHz Min, 4.999MHz Max, SURFACE MOUNT PACKAGE-2
SM25H-SR-FREQ2 PLETRONICS

获取价格

 		Series - Fundamental Quartz Crystal, 5MHz Min, 7.999MHz Max, SURFACE MOUNT PACKAGE-2
SM25HXC103 IXYS

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 310A, 2500V V(RRM), Silicon,
SM25HXC166 IXYS

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 240A, 2500V V(RRM), Silicon,
SM25JZ41 TOSHIBA

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 		TRIAC, 600 V, 25 A, TRIAC
SM25JZ51 TOSHIBA

获取价格

 		TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR ILICON PLANAR TYPE
SM25MCN094 IXYS

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 56A, 2500V V(RRM), Silicon,

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