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SM2403T-6

更新时间： 2024-01-24 06:51:23

品牌	Logo	应用领域
铁电 - RAMTRON		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	90K
描述
Cache DRAM, 2MX8, 4.3ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44

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SM2403T-6 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP, TSOP44,.46,32	针数：	44
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.83
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	4.3 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e0
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	CACHE DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	44
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP	封装等效代码：	TSOP44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.5/3.3,3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	2048
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	0.28 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

SM2403T-6 数据手册

16Mbit Enhanced SDRAM Family

4Mx4, 2Mx8, 1Mx16

Preliminary

Features

100% Pin, Function, and Timing Compatible with

JEDEC standard SDRAM

Hidden Auto-Refresh without closing Read Pages

Low Power Suspend, Self-Refresh, and Power Down Modes

Optional No Write Transfer Mode

Integrated 8Kbit SRAM Row Cache

Synchronous Operation up to 166MHz

22ns Row Access Latency, 10ns Column Latency

Early Auto-Precharge

Programmable Burst Length (1, 2, 4, 8, full page)

Programmable CAS Latency (1, 2, 3)

Single 3.3V ± 0.3V Power Supply

Flexible V_DDQSupports LVTTL and 2.5V I/O

Packages: 44-pin TSOP-II (400 mils wide)

50-pin TSOP-II (400 mils wide)

The two bank architecture combines 22ns DRAM arrays

with a 10ns SRAM row cache per bank. The ESDRAM is a

superset technology of JEDEC standard SDRAM. Its two

key functional features include early auto-precharge (close

DRAM page while burst reads are performed) and an

optional No Write Transfer mode. The ESDRAM is capable

of maintaining two open read pages and two open write

pages simultaneously via the No Write Transfer mode.

Description

The Enhanced Memory Systems 16Mb enhanced

SDRAM (ESDRAM) family combines raw speed with

innovative architecture to optimize system price-

performance in high performance computer and

embedded control systems.

The ESDRAM is pin compatible with JEDEC standard

SDRAM. It is also function and timing compatible with

JEDEC standard SDRAM.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

BANK A

BANK B

8Mbit

A(11:0)

8Mbit

SENSE AMPLIFIERS

SRAM ROW CACHE

COLUMN DECODER

SRAM ROW CACHE

COLUMN DECODER

CLK

CKE

/CS

COMMAND

DECODER

and

/RAS

Product

4Mx4

Cache Size

1Kx4

/CAS

/WE

TIMING

GENERATOR

DQM(1:0)

2Mx8

512x8

1Mx16

256x16

The information contained herein is subject to change without notice.

Enhanced reserves the right to change or discontinue this product

without notice.

Ó 1998 Enhanced Memory Systems Inc. 1850 Ramtron Drive, Colorado Springs, CO 80921

Telephone (800) 545-DRAM, Fax (719) 488-9095, Web http://www.edram.com Rev. 2.2

12 3 4 5 6 7...9

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与SM2403T-6相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SM2403T-6.6	RAMTRON	Cache DRAM, 8MX8, 4.5ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	获取价格
SM2403T-7.5	RAMTRON	Memory IC, 2MX8, CMOS, PDSO44,	获取价格
SM2404T-10	RAMTRON	Memory IC, 1MX16, CMOS, PDSO50,	获取价格
SM2404T-10I	RAMTRON	Cache DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, TSOP2-50	获取价格
SM2404T1-12	RAMTRON	Cache DRAM, 1MX16, 6ns, MOS, PDSO50, PLASTIC, TSOP2-50	获取价格
SM2404T-12	RAMTRON	Cache DRAM, 1MX16, 6ns, MOS, PDSO50, PLASTIC, TSOP2-50	获取价格

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