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SKT340/12D PDF预览

SKT340/12D

更新时间： 2024-11-26 13:13:31
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON /
页数 文件大小 规格书
4页 848K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 533.8A I(T)RMS, 340000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB

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SKT340/12D 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：DISK BUTTON, O-MEDB-N2
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.74外壳连接：ISOLATED
标称电路换相断开时间：150 µs配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：500 V/us最大直流栅极触发电流：200 mA
最大直流栅极触发电压：2 V最大维持电流：400 mA
JEDEC-95代码：TO-200ABJESD-30 代码：O-MEDB-N2
JESD-609代码：e2最大漏电流：40 mA
通态非重复峰值电流：5700 A元件数量：1
端子数量：2最大通态电流：340000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：533.8 A
重复峰值关态漏电流最大值：40000 µA断态重复峰值电压：1200 V
重复峰值反向电压：1200 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：YES端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：NO LEAD端子位置：END
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

SKT340/12D 数据手册

 浏览型号SKT340/12D的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SKT340/12D的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SKT340/12D的Datasheet PDF文件第4页 
SKT 340 THYRISTOR BRIDGE,SCR,BRIDGE  
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1
06-08-2007 MAJ  
© by SEMIKRON  
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与SKT340/12D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKT340/12E SEMIKRON

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SKT340/14E SEMIKRON

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 		Line Thyristor
SKT340/18E SEMIKRON

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SKT351F08DT SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 900A I(T)RMS, 350000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Ele
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 		Silicon Controlled Rectifier, 900A I(T)RMS, 350000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E
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SKT351F12DU SEMIKRON

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