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SKT351F12DU

更新时间: 2024-11-09 18:10:39
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅极
页数 文件大小 规格书
6页 319K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 900A I(T)RMS, 350000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB

SKT351F12DU 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-CEDB-N2
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.82其他特性:FAST
标称电路换相断开时间:25 µs配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:500 V/us最大直流栅极触发电流:250 mA
最大直流栅极触发电压:4 V最大维持电流:400 mA
JEDEC-95代码:TO-200ABJESD-30 代码:O-CEDB-N2
最大漏电流:80 mA通态非重复峰值电流:6500 A
元件数量:1端子数量:2
最大通态电流:350000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:DISK BUTTON
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:900 A
重复峰值关态漏电流最大值:80000 µA断态重复峰值电压:1200 V
重复峰值反向电压:1200 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:END触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

SKT351F12DU 数据手册

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