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SKT340/18E

更新时间: 2024-11-26 03:31:47
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON /
页数 文件大小 规格书
4页 848K
描述
Line Thyristor

SKT340/18E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:BUTTON
包装说明:DISK BUTTON, O-MXDB-X4针数:2
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.75外壳连接:ISOLATED
标称电路换相断开时间:150 µs配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:1000 V/us最大直流栅极触发电流:150 mA
最大直流栅极触发电压:2 V最大维持电流:400 mA
JEDEC-95代码:TO-200ABJESD-30 代码:O-MXDB-X4
JESD-609代码:e2最大漏电流:40 mA
通态非重复峰值电流:5700 A元件数量:1
端子数量:4最大通态电流:340000 A
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:700 A
重复峰值关态漏电流最大值:40000 µA断态重复峰值电压:1800 V
重复峰值反向电压:1800 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:YES端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

SKT340/18E 数据手册

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SKT 340 THYRISTOR BRIDGE,SCR,BRIDGE  
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SKT  
1
06-08-2007 MAJ  
© by SEMIKRON  

与SKT340/18E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKT351F08DT SEMIKRON

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Silicon Controlled Rectifier, 900A I(T)RMS, 350000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Ele
SKT351F08DU SEMIKRON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 900A I(T)RMS, 350000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Ele
SKT351F10DT SEMIKRON

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Silicon Controlled Rectifier, 900A I(T)RMS, 350000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E
SKT351F10DU SEMIKRON

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Silicon Controlled Rectifier, 900A I(T)RMS, 350000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E
SKT351F12DU SEMIKRON

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Silicon Controlled Rectifier, 900A I(T)RMS, 350000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 E
SKT351F14DV SEMIKRON

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Silicon Controlled Rectifier, 900A I(T)RMS, 350000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 E
SKT-3R-105A KINGTRONICS

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SKT - Surge Arresters 3-Electrode Ceramic Surge Arrester
SKT-3R-150AF1 KINGTRONICS

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SKT - Surge Arresters 3-Electrode Ceramic Surge Arrester