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SKT160/04C

更新时间: 2024-11-25 03:26:15
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅极
页数 文件大小 规格书
1页 26K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 251.2A I(T)RMS, 160000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-209

SKT160/04C 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.75外壳连接:ANODE
标称电路换相断开时间:120 µs配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us最大直流栅极触发电流:200 mA
最大直流栅极触发电压:3 V最大维持电流:250 mA
JEDEC-95代码:TO-209JESD-30 代码:O-MUPM-H3
最大漏电流:50 mA通态非重复峰值电流:4300 A
元件数量:1端子数量:3
最大通态电流:160000 A最高工作温度:130 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:251.2 A
重复峰值关态漏电流最大值:50000 µA断态重复峰值电压:400 V
重复峰值反向电压:400 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO端子形式:HIGH CURRENT CABLE
端子位置:UPPER触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

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