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SKT1800/18E

更新时间: 2024-11-24 15:51:23
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅极
页数 文件大小 规格书
6页 262K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 3925A I(T)RMS, 1800000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element

SKT1800/18E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-CEDB-N2
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.81标称电路换相断开时间:300 µs
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:1000 V/us
最大直流栅极触发电流:300 mA最大直流栅极触发电压:3 V
最大维持电流:1000 mAJESD-30 代码:O-CEDB-N2
JESD-609代码:e2最大漏电流:100 mA
通态非重复峰值电流:53000 A元件数量:1
端子数量:2最大通态电流:1800000 A
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:3925 A
重复峰值关态漏电流最大值:100000 µA断态重复峰值电压:1800 V
重复峰值反向电压:1800 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:YES端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:NO LEAD端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

SKT1800/18E 数据手册

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