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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SKR2F50/06UNF
SKR2F50/06UNF PDF预览

SKR2F50/06UNF

更新时间： 2024-09-29 03:02:47
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 整流二极管
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3页 469K
描述
Fast Recovery Rectifier Diode

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SKR2F50/06UNF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-5
包装说明：DO-5, 1 PIN针数：1
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.45
其他特性：LEAKAGE CURRENT IS TYPICAL应用：FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.8 VJEDEC-95代码：DO-203AB
JESD-30 代码：O-MUPM-D1JESD-609代码：e2
最大非重复峰值正向电流：670 A元件数量：1
相数：1端子数量：1
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：17 A封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向电流：400 µA
最大反向恢复时间：0.6 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：SOLDER LUG端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SKR2F50/06UNF 数据手册

 浏览型号SKR2F50/06UNF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SKR2F50/06UNF的Datasheet PDF文件第3页 
SKR 2F50 THYRISTOR BRIDGE,SCR,BRIDGE  
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SKR  
1
05-04-2004 SCT  
© by SEMIKRON  
123

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