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SKR31F12

更新时间: 2024-02-08 03:59:35
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 整流二极管局域网软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
3页 270K
描述
Fast Recovery Rectifier Diode

SKR31F12 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-3P包装说明:R-PSFM-T2
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.82Is Samacsys:N
其他特性:SNUBBER DIODE应用:FAST SOFT RECOVERY
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):2.4 VJEDEC-95代码:TO-218AD
JESD-30 代码:R-PSFM-T2JESD-609代码:e2
最大非重复峰值正向电流:300 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:31 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1200 V
最大反向恢复时间:0.4 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

SKR31F12 数据手册

 浏览型号SKR31F12的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SKR31F12的Datasheet PDF文件第3页 
SKR 31F THYRISTOR BRIDGE,SCR,BRIDGE  
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SKR  
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20-04-2006 SCT  
© by SEMIKRON  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 26A, 600V V(RRM), Silicon,
SKR3F20/12UNF SEMIKRON

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN